[发明专利]热锻性、耐高温氧化性和耐高温卤素气体腐蚀性优良的Ni基合金及由其制成的构件在审
申请号: | 201480058958.4 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN105793452A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 坂井广和;菅原克生 | 申请(专利权)人: | 日立金属摩材超级合金株式会社;日立金属株式会社 |
主分类号: | C22C19/03 | 分类号: | C22C19/03;C22C19/05 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热锻性 耐高温 氧化 卤素 气体 腐蚀性 优良 ni 合金 制成 构件 | ||
提供一种Ni基合金,其热锻性、耐高温氧化性和耐高温卤素气体腐蚀性优良,并且适合用作例如片式电容器的焙烧盘、锂电池正极材料的焙烧盘、CVD设备构件、PVD设备构件、LCD设备构件、和半导体制造设备构件的构成材料。该Ni基合金包含以重量%计的2.0‑5.0%的Al、0.1‑2.5%的Si、0.1‑1.5%的Mn、0.001‑0.01%的B、和0.001‑0.1%的Zr,以及余量为Ni和不可避免杂质,并且热锻性、耐高温氧化性和耐高温卤素气体腐蚀性优良。该Ni基合金可进一步包含0.8‑4.0%的Cr。
技术领域
本发明涉及热锻性(hot forgeability)、耐高温氧化性、和耐高温卤素气体腐蚀性优良的Ni基合金,并涉及由该Ni基合金制成的构件,特别是片式电容器的焙烧盘(bakingtray)、锂电池正极材料的焙烧盘、CVD设备构件、PVD设备构件、LCD设备构件、和半导体制造设备构件。
本申请要求2013年8月27日提交的日本专利申请No.2013-175389和日本专利申请No.2013-1175390的优先权,其全部内容通过参考引入本文。
背景技术
通常,诸如用于氧化炉或焙烧炉内的托盘等构件由耐高温氧化性优异的Ni基合金制成,以便防止由构件生成的氧化皮(oxidation scale)混入产品中。
作为耐高温氧化性优异的此类Ni基合金,例如,专利文献1公开了耐高温氧化性优良的Ni基合金,其包含3.6-4.4质量%(下文中,“%”表示质量%)的Al、选自0.1-2.5%的Si、0.8-4.0%的Cr和0.1-1.5%的Mn的任选一种以上的元素,以及余量的Ni和不可避免杂质,并用作高温热交换器的鳍片(fin)和管。
另外,专利文献2公开了一种Ni基合金,其包含0.05-2.5%的Al、0.3-2.5%的Si、0.5-3.0%的Cr、和0.5-1.8%的Mn、以及Si/Cr比指定为小于或等于1.1,以及余量的Ni和不可避免杂质,并且耐热性和耐腐蚀性二者优良。
此外,专利文献3公开了一种火花塞电极材料用Ni基合金,其包含3.1-4.3%的Al、0.05-1.5%的Si、1-2%的Cr、0.45-0.65%的Mn、0.005-0.05%的Mg和Ca的一种以上的元素、以及余量的Ni和不可避免杂质,并且高温强度和耐火花消耗性二者优异。
此外,对于CVD设备构件、PVD设备构件、LCD设备构件、和半导体制造设备构件,使用在对卤素系气体的耐等离子体反应性和在如成膜和清洁等过程中的耐腐蚀性均优异的Ni-Al层的表面上形成的纯Ni或Ni基合金构件。作为耐高温卤素气体腐蚀性优异的此类构件,例如,如专利文献4所示,提出了一种膜形成处理设备用构件,其基材的材质为形成在Ni-Al合金层表面上的纯Ni或Ni-Cr-Fe合金。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]JP 3814822 B
[专利文献2]JP H2-163336 A
[专利文献3]JP 3206119 B
[专利文献4]JP 2012-219369 A
发明内容
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属摩材超级合金株式会社;日立金属株式会社,未经日立金属摩材超级合金株式会社;日立金属株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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