[发明专利]含芴取代的三嗪衍生化合物的组合物及含该组合物的电子器件

权利要求书

1.一种组合物，其包含选自式1的至少一种化合物：

其中，A为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且

其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者

其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者

其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者

其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且

其中，B为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且

其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者

其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者

其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者

其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且

其中R₁和R₂各自独立为C1-C20烷基或C6-C30芳基，各自具有或不具有一个 或多个取代基；并且

其中Ph₁和Ph₂各自独立为苯基或经取代的苯基；并且

其中Ar为芳基、经取代的芳基、杂芳基或经取代的杂芳基；并且其中Ar包含 小于或等于16个碳；并且

其中一个或多个氢可任选地被氘取代。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中Ar包含8个至16个碳。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的组合物，其中所述至少一种化合物选自式2：

4.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中Ar选自以下基团：

5.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述化合物的玻璃化转变温度 (Tg)大于或等于150℃。

6.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述化合物的分子量为620克/ 摩尔至1000克/摩尔。

7.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述化合物的三重态能量为1.5 eV至3.0eV。

8.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中R₁和R₂各自独立为C1-C4烷基。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的组合物，其中所述至少一种化合物选自以下 各项：

10.一种膜，其包含由根据前述权利要求中任一项所述的组合物形成的至少一个层 A。

11.根据权利要求10所述的膜，其进一步包含另一层B，所述层B由包含至少一种 HTL化合物的组合物B形成。

12.根据权利要求10或权利要求11所述的膜，其中层A不与层B相邻。

13.一种制品，其包含由根据权利要求1至9中的任一项所述的组合物形成的至少一 个组件。

14.根据权利要求13所述的制品，其中所述制品为电致发光器件。