[发明专利]溶胶凝胶涂布的支撑环有效
申请号: | 201480058904.8 | 申请日: | 2014-10-22 |
公开(公告)号: | CN105684133B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/683;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 溶胶 凝胶 支撑 | ||
1.一种用于热处理腔室的支撑构件,包括:
与边缘环套叠的支撑环,所述支撑环支撑被暴露于辐射的工件,所述支撑环包括硅氧化物且具有:
第一侧部和第二侧部;及
多孔涂层,所述多孔涂层在所述第一侧部或所述第二侧部上,所述多孔涂层包括硅与二氧化硅,并且所述多孔涂层包括硅层以及从类二氧化硅成分至所述硅层的成分渐变过程。
2.如权利要求1所述的支撑构件,其中所述多孔涂层包括具有不同成分的多层。
3.如权利要求1所述的支撑构件,其中所述多孔涂层具有变化的孔隙率。
4.如权利要求1所述的支撑构件,其中所述多孔涂层进一步包括碳。
5.一种用于热处理腔室的支撑构件,包括:
与边缘环套叠的支撑环,所述支撑环包含硅氧化物,所述支撑环支撑被暴露于辐射的工件,所述支撑环具有:
第一侧部和第二侧部;及
异质层结构,所述异质层结构形成于所述第一侧部或所述第二侧部上且包括硅和二氧化硅,其中所述异质层结构具有介于50nm与50μm之间的厚度,并且其中所述异质层结构对入射于所述支撑构件上的具有高温计波长的辐射是不透明的。
6.如权利要求5所述的支撑构件,其中所述异质层结构具有介于35%与80%之间的孔隙率。
7.如权利要求5所述的支撑构件,其中所述异质层结构包括具有第一孔隙率的第一层和具有第二孔隙率的第二层,所述第二孔隙率与所述第一孔隙率不同。
8.如权利要求6所述的支撑构件,其中所述异质层结构的孔隙率是渐变的。
9.如权利要求6所述的支撑构件,其中所述异质层结构具有尺寸介于10纳米与60微米之间的孔隙。
10.如权利要求5所述的支撑构件,其中所述异质层结构进一步包括辐射阻挡层和覆盖层。
11.一种用于热处理腔室的支撑构件的形成方法,所述方法包括以下步骤:
使第一溶胶流经基板,所述第一溶胶包括二氧化硅前驱物;
使所述第一溶胶干燥以形成第一涂层;及
使第二溶胶流经所述基板,所述第二溶胶包括硅前驱物;及
使所述第二溶胶干燥,以于所述第一涂层上形成第二涂层;及
热处理所述基板以形成所述支撑构件。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述第一涂层与所述第二涂层的每个涂层具有尺寸介于10纳米与10微米之间的孔隙。
13.如权利要求11所述的方法,其中所述第一溶胶进一步包括硅前驱物,且所述第二溶胶进一步包括二氧化硅前驱物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480058904.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造