[发明专利]离子源和清洗及操作离子源的方法

权利要求书

1.一种离子源，包括：

离子源腔室，用于在处理模式期间产生处理电浆且在清洗模式期间产生清洗电浆，所述离子源腔室具有撷取孔径；

抑制电极，具有抑制电极孔径，所述抑制电极设置于所述离子源腔室外且接近所述撷取孔径，其中在所述清洗模式期间从所述撷取孔径撷取的离子束散焦以便撞击所述抑制电极；以及

偏压系统，经配置以在所述清洗模式期间周期性地阻止所述离子束撞击所述抑制电极，且在所述离子束被周期性地阻止时将所述抑制电极和所述离子源腔室接地。

2.根据权利要求1所述的离子源，包括故障检测器，其中，在所述处理模式中，当检测到故障时，所述偏压系统将所述抑制电极和所述离子源腔室接地。

3.根据权利要求1所述的离子源，其中源气体用于在所述处理模式中产生所述处理电浆，且不同于所述源气体的清洗气体用于在所述清洗模式中产生所述清洗电浆。

4.根据权利要求1所述的离子源，其中所述离子束是通过修改所述抑制电极与所述离子源腔室之间的距离来散焦。

5.根据权利要求1所述的离子源，其中所述偏压系统包括：

撷取电力供应器，经配置以在所述处理模式期间供应第一撷取电压和电流；

第一切换装置，与所述撷取电力供应器和所述离子源腔室连通，其中在第一位置中，所述撷取电力供应器电耦接到所述离子源腔室，且在第二位置中，所述离子源腔室耦接到接地；

抑制电力供应器，经配置以在所述处理模式期间供应第一抑制电压和电流；以及

第二切换装置，与所述抑制电力供应器和所述抑制电极连通，其中在第一位置中，所述抑制电力供应器电耦接到所述抑制电极，且在第二位置中，所述抑制电极耦接到接地；

其中，在所述清洗模式期间，所述第一切换装置和所述第二切换装置在所述第一位置与所述第二位置之间交替，其中在第一位置中，所述离子束撞击所述抑制电极，且在所述第二位置中，所述离子束被暂时阻止，且所述抑制电极和所述离子源腔室接地。

6.根据权利要求5所述的离子源，其中所述离子束是通过在所述清洗模式期间提供不同于所述第一撷取电压的第二撷取电压和不同于所述第一抑制电压的第二抑制电压来散焦。

7.根据权利要求5所述的离子源，更包括故障检测器，其中，在所述处理模式中，如果检测到故障，那么所述第一切换装置和所述第二切换装置各自选择所述第二位置。

8.一种清洗离子源的方法，其中所述离子源包括：离子源腔室，具有撷取孔径；接地电极；以及抑制电极，设置在所述离子源腔室与所述接地电极之间，所述方法包括：

使清洗气体流动到所述离子源腔室中；

使用所述清洗气体而在所述离子源腔室中产生电浆；

使从所述离子源腔室撷取的离子束散焦，以使得所述离子束撞击所述抑制电极；

在清洗时间间隔期间将所述离子源腔室和所述抑制电极偏压到一组清洗偏压电压，以使得所述经散焦的离子束从所述抑制电极移除材料；

在所述清洗时间间隔期间周期性地将所述离子源腔室和所述抑制电极接地；以及

在所述清洗时间间隔期间重复所述偏压和所述接地多次。

9.根据权利要求8所述的清洗离子源的方法，其中所述散焦包括相对于所述离子源腔室而移动所述抑制电极。

10.根据权利要求8所述的清洗离子源的方法，其中所述散焦包括将一组清洗电压施加到所述离子源腔室和所述抑制电极，其中所述一组清洗电压不同于在处理模式期间施加到所述离子源腔室和所述抑制电极的电压。

11.根据权利要求8所述的清洗离子源的方法，其中所述偏压和所述接地是以1千赫的频率来执行。