[发明专利]光电转换元件、光电转换模块以及太阳光发电系统

权利要求书

1.一种光电转换元件，其特征在于，

半导体基板；

第1导电类型的第1半导体层；

与所述第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体层；

形成于所述第1半导体层上的第1电极；以及

形成于所述第2半导体层上的第2电极，

所述第1半导体层包括非晶态半导体，

所述第1电极包括多个金属晶粒，

所述第1电极的面内方向上的所述金属晶粒的平均晶体粒径与所述第1电极的厚度的比大于1。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，

所述第2电极包括多个金属晶粒，

所述金属晶粒的与所述半导体基板的厚度方向平行的晶体轴优先取向于<111>方向。

3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，

所述非晶态半导体是非晶硅。

4.一种光电转换元件，其特征在于，

半导体基板；

第1导电类型的第1半导体层；

与所述第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体层；

形成于所述第1半导体层上的第1电极；以及

形成于所述第2半导体层上的第2电极，

所述第1半导体层包括非晶态半导体，

所述第1电极包括多个金属晶粒，

所述第1导电类型是n型，

所述第1电极的面内方向上的所述金属晶粒的平均晶体粒径与所述第1电极的厚度的比为1.34以上。

5.根据权利要求4所述的光电转换元件，其特征在于，

所述第1导电类型是n型，

所述平均晶体粒径为所述第1电极的厚度的1.54倍以上。

6.一种光电转换元件，其特征在于，

半导体基板；

第1导电类型的第1半导体层；

与所述第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体层；

形成于所述第1半导体层上的第1电极；以及

形成于所述第2半导体层上的第2电极，

所述第1半导体层包括非晶态半导体，

所述第1电极包括多个金属晶粒，

所述第1导电类型是p型，

所述第1电极的面内方向上的所述金属晶粒的平均晶体粒径与所述第1电极的厚度的比大于1且为2.44以下。

7.根据权利要求1、2、4、6中的任意一项所述的光电转换元件，其特征在于，

所述第1电极由以银作为主要成分的金属膜构成。

8.根据权利要求1、2、4、6中的任意一项所述的光电转换元件，其特征在于，

所述第1半导体层以及所述第2半导体层设置于所述半导体基板的与受光面相反一侧的背面。

9.根据权利要求6所述的光电转换元件，其特征在于，

所述第1导电类型是p型，

所述平均晶体粒径为所述第1电极的厚度的1.26倍以上且2.44倍以下。

10.根据权利要求1、2、4、6中的任意一项所述的光电转换元件，其特征在于，

所述第2电极包括多个金属晶粒，

所述第2电极的面内方向上的所述金属晶粒的平均晶体粒径大于所述第2电极的厚度，

所述半导体基板的导电类型是所述第1导电类型，

所述第2电极与所述第2半导体层的接触面积为所述第1电极与所述第1半导体层的接触面积的2倍以上，

所述第1电极的平均晶体粒径与所述第2电极的平均晶体粒径的平均值为所述第1电极以及所述第2电极的厚度的1.3倍以上且4.72倍以下。