[发明专利]用于石墨烯生长的玻璃陶瓷基材

权利要求书

1.一种用于石墨烯生长的基材，所述基材包含：

玻璃陶瓷主体；和

多个设置在所述玻璃陶瓷主体的表面上的金属岛，

其中，所述金属岛通过对金属氧化物岛进行热还原来制造，所述金属氧化物岛是通过在所述玻璃陶瓷主体的结晶化过程中的热诱导扩散来形成的。

2.如权利要求1所述的基材，其特征在于，所述玻璃陶瓷主体包含锂铝硅酸盐玻璃陶瓷。

3.如权利要求1所述的基材，其特征在于，所述金属岛包含选自Ni、Co、Cu、Pt、Au、Rd、Ru、Ir和Fe的元素态金属。

4.如权利要求1所述的基材，其特征在于，所述金属岛具有50～500nm的横向尺寸。

5.如权利要求1所述的基材，其特征在于，所述基材是电绝缘的。

6.如权利要求1所述的基材，其特征在于，将碳结合入所述金属岛中。

7.如权利要求1所述的基材，其特征在于，所述基材包含玻璃陶瓷蜂窝体。

8.一种石墨烯的形成方法，所述方法包括：

将权利要求1所述的基材的表面暴露于碳前体。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述玻璃陶瓷包含锂铝硅酸盐。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属岛包含选自Ni、Co、Cu、Pt、Au、Rd、Ru、Ir和Fe的元素态金属。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属岛具有50～500nm的横向尺寸。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基材是电绝缘的。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在还原环境下将所述碳前体暴露于所述表面。

14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在将所述碳前体暴露于所述表面之前，通过在还原环境中加热所述金属氧化物岛来形成纳米相金属岛。

15.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述石墨烯包含碳单层。

16.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述石墨烯包含碳双层。

17.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述石墨烯是连续的层。

18.一种涂覆有石墨烯的基材，其包含：

玻璃陶瓷主体；

多个设置在所述玻璃陶瓷主体的表面上的金属岛；和

设置在所述金属岛以及所述玻璃陶瓷主体上方的石墨烯层。

19.如权利要求18所述的涂覆有石墨烯的基材，其特征在于，所述石墨烯包含碳单层。

20.如权利要求18所述的涂覆有石墨烯的基材，其特征在于，所述石墨烯是连续的层。

21.如权利要求18所述的涂覆有石墨烯的基材，其特征在于，所述基材是导电的。

22.如权利要求18所述的涂覆有石墨烯的基材，其特征在于，所述基材包含玻璃陶瓷蜂窝体。

23.一种装置，所述装置包含如权利要求18所述的涂覆有石墨烯的基材。