[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

第一衬底上的晶体管；

所述晶体管上的无机绝缘膜；

位于所述无机绝缘膜上且与所述无机绝缘膜接触的有机绝缘膜； 以及

位于所述无机绝缘膜上且与所述无机绝缘膜接触的像素电极，该 像素电极与所述晶体管电连接，

其中，所述晶体管包括：

所述第一衬底上的栅电极；

所述栅电极上的氧化物半导体膜；以及

所述栅电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜，

所述氧化物半导体膜的顶面与所述无机绝缘膜接触，

所述有机绝缘膜隔着所述无机绝缘膜与所述氧化物半导体膜重 叠，

并且，所述栅电极的端部位于所述有机绝缘膜的端部的外侧。

2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

与所述第一衬底重叠的第二衬底；以及

所述有机绝缘膜与所述第二衬底之间的液晶层，

其中在所述第一衬底与所述第二衬底之间有所述晶体管及所述有 机绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

与所述第一衬底重叠的第二衬底；以及

所述像素电极与所述第二衬底之间的液晶层，

其中在所述第一衬底与所述第二衬底之间有所述晶体管及所述有 机绝缘膜，

并且在所述有机绝缘膜与所述第二衬底之间没有所述液晶层。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述有机绝缘膜的厚度 大于或等于500nm且小于或等于10μm。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述无机绝缘膜包括与 所述氧化物半导体膜的所述顶面接触的氧化物绝缘膜及位于所述氧化 物绝缘膜上且与所述氧化物绝缘膜接触的氮化物绝缘膜。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中在平面形状上，所述有 机绝缘膜完全与所述氧化物半导体膜重叠。

7.一种显示装置，包括：

第一衬底上的晶体管；

所述晶体管上的无机绝缘膜；

位于所述无机绝缘膜上且与所述无机绝缘膜接触的有机绝缘膜；

与所述晶体管电连接的像素电极；以及

与所述晶体管电连接的电容器，

其中，所述晶体管包括：

所述第一衬底上的栅电极；

所述栅电极上的氧化物半导体膜；以及

所述栅电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜，

所述氧化物半导体膜的顶面与所述无机绝缘膜接触，

所述有机绝缘膜隔着所述无机绝缘膜与所述氧化物半导体膜重 叠，

所述栅电极的端部位于所述有机绝缘膜的端部的外侧，

所述电容器包括所述像素电极、所述无机绝缘膜以及金属氧化物 膜，

所述像素电极包括透光性导电材料，且隔着所述无机绝缘膜与所 述金属氧化物膜重叠，

并且，所述金属氧化物膜包含与所述氧化物半导体膜相同的金属 元素，且所述金属氧化物膜的顶面与所述无机绝缘膜接触。

8.根据权利要求7所述的显示装置，还包括：

与所述第一衬底重叠的第二衬底；以及

所述有机绝缘膜与所述第二衬底之间的液晶层，

其中在所述第一衬底与所述第二衬底之间有所述晶体管及所述有 机绝缘膜。

9.根据权利要求7所述的显示装置，还包括：

与所述第一衬底重叠的第二衬底；以及

所述像素电极与所述第二衬底之间的液晶层，

其中在所述第一衬底与所述第二衬底之间有所述晶体管及所述有 机绝缘膜，

并且在所述有机绝缘膜与所述第二衬底之间没有所述液晶层。

10.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述有机绝缘膜的厚 度为大于或等于500nm且小于或等于10μm。