[发明专利]有机晶体管制造用溶剂有效
申请号: | 201480057473.3 | 申请日: | 2014-11-13 |
公开(公告)号: | CN105659404B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 铃木阳二;横尾健;赤井泰之 | 申请(专利权)人: | 株式会社大赛璐 |
主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30;C07C43/184;C07C43/205;C07C49/403;C07C211/35;C07D307/79;C08G61/12;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40 |
代理公司: | 11494 北京坤瑞律师事务所 | 代理人: | 张平元;杨薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 晶体管 制造 溶剂 | ||
本发明提供有机半导体材料的溶解性优异、能够形成结晶性高的有机晶体管的有机晶体管制造用溶剂。本发明的有机晶体管制造用溶剂包含1种或2种以上的下述式(a)所示的溶剂A。式中,环Z表示选自芳香族碳环、5~7元脂环式碳环及5~7元杂环中的环。R1表示选自氧代基、硫代基、‑ORa基、‑SRa基、‑O(C=O)Ra基、‑RbO(C=O)Ra基、及取代或无取代氨基中的基团,R2表示选自氢原子、C1‑7烷基、芳基、及‑ORa基中的基团。R1与R2也可以相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环。
技术领域
本发明涉及有机半导体材料的溶解性优异的有机晶体管制造用溶剂、以及包含该有机晶体管制造用溶剂和有机半导体材料的有机晶体管制造用组合物。本申请要求2013年11月21日在日本提出申请的日本特愿2013-241096号的优先权,并将其内容援引于此。
背景技术
有机晶体管作为构成显示器、电脑设备的重要的半导体电子器件已得到了广泛的有效利用,目前,其是使用多晶硅、非晶硅等无机物作为半导体材料而制造的。在这样的使用了无机物的薄膜有机晶体管的制造中,真空工艺、高温工艺是必要的,而这会引起制造成本增高的问题。另外,由于包含高温工艺,因而能够使用的基板受限,主要使用的是玻璃基板等。然而,玻璃基板虽耐热性高,但耐受冲击的能力弱,很难实现轻质化,且柔软性不足,因此难以形成柔性的有机晶体管。
基于此,近年来,有关利用有机半导体材料的有机电子设备的研究开发已得到了积极的开展。有机半导体材料可利用印刷法、旋涂法等基于湿式工艺的简便的方法而容易地形成薄膜,与以往的利用无机半导体材料的有机晶体管相比,具有能够实现制造工艺温度的低温化的优点。由此,一般能够在耐热性低的塑料基板上形成,可实现显示器等电子设备的轻质化、低成本化,同时可期待在有效利用了塑料基板的柔性的用途等多种用途中展开。
作为有机半导体材料,已知可通过使用例如并五苯等低分子的半导体材料来显示出高的半导体设备性能。然而,以并五苯为代表的无取代的并苯类化合物大多由于基于π共轭体系的强分子间相互作用而在溶剂中的溶解性不足。因此,无法制备浓度高的有机晶体管制造用组合物,利用印刷法形成的有机半导体存在晶粒小、不施加高电压则无法流通电流、以及在施加高电压时发生绝缘膜剥离等问题。
此外,在非专利文献1、2中,记载了使用具有噻吩骨架的供体受体型共聚物化合物作为有机半导体材料。上述化合物因强固的π-π堆积而达到高度的π电子重叠,因而显示高迁移率。然而,强固的π-π堆积会引起结晶性高、在溶剂中的溶解性不足的问题。另外,上述文献中记载了使用以1,2-二氯苯为代表的卤化溶剂进行加热溶解的技术。但在利用1,2-二氯苯等使其溶解的情况下,室温下多会发生凝胶化,因而不适于利用印刷法的薄膜形成。另外,卤化溶剂有生态毒性的隐患,还存在作业安全上的问题。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1:Adv.Mater.2012,24,p 4618-4622
非专利文献2:Adv.Mater.2012,24,p 6457-6461
发明内容
发明要解决的问题
因此,本发明的目的在于提供有机半导体材料的溶解性优异、能够形成结晶性高的有机晶体管的有机晶体管制造用溶剂。
本发明的另一目的在于提供包含上述有机晶体管制造用溶剂的有机晶体管制造用组合物。
解决问题的方法
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择