[发明专利]存储器单元结构、制造存储器的方法以及存储器设备有效
申请号: | 201480056283.X | 申请日: | 2014-10-10 |
公开(公告)号: | CN105659376B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 梅林拓;助川俊一;横山孝司;细见政功;肥后丰 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/8246 | 分类号: | H01L21/8246;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/82;H01L43/08 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李颖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 单元 结构 制造 方法 以及 设备 | ||
1.一种存储器单元结构,包括:
晶体管,所述晶体管使用在通过将硅衬底加工为槽形而形成的凹部的底部中形成的第一扩散层和在所述凹部的两个相对侧壁部分各自的上端部中形成的第二扩散层,来在两个侧壁部分中、所述第一扩散层和所述第二扩散层之间的部分处形成沟道;以及
存储器元件,所述存储器元件设置在所述第一扩散层之下,
所述第一扩散层经由在使所述硅衬底薄膜化之后形成的触点而电连接到所述存储器元件。
2.根据权利要求1所述的存储器单元结构,其中
通过绝缘膜和衬底浓度分布来为每个存储器单元电绝缘所述第一扩散层。
3.根据权利要求1所述的存储器单元结构,其中
所述触点具有与所述硅衬底绝缘的结构。
4.根据权利要求1所述的存储器单元结构,其中
所述硅衬底是SOI衬底。
5.根据权利要求1所述的存储器单元结构,其中
所述存储器元件是MTJ元件。
6.一种制造具有包括晶体管和存储器元件的存储器单元结构的存储器的方法,所述晶体管使用在通过将硅衬底加工为槽形而形成的凹部的底部中形成的第一扩散层和在所述凹部的两个相对侧壁部分各自的上端部中形成的第二扩散层来在两个侧壁部分中、所述第一扩散层和所述第二扩散层之间的部分处形成沟道,所述存储器元件设置在所述第一扩散层之下,所述第一扩散层经由在使所述硅衬底薄膜化之后形成的触点而电连接到所述存储器元件,
所述方法包括通过执行至少以下步骤来形成作为所述存储器单元结构的一部分的中间层叠体的步骤:
在所述硅衬底的预定深度处形成场隔离层;
在所述场隔离层之间形成槽形的凹部;
在所述凹部的所述底部中形成所述第一扩散层;
在所述凹部的所述侧壁部分的所述上端部中形成所述第二扩散层;以及
在所述第二扩散层的上部中形成金属布线。
7.根据权利要求6所述的制造存储器的方法,包括以下步骤:
将作为支撑衬底的另一硅衬底接合到形成有所述中间层叠体的所述硅衬底;以及
使所述硅衬底薄膜化。
8.根据权利要求7所述的制造存储器的方法,包括以下步骤:
形成与在所薄膜化的硅衬底上形成的第一扩散层的触点。
9.根据权利要求8所述的制造存储器的方法,包括以下步骤:
形成通过所述触点电连接到所述第一扩散层的存储器元件。
10.一种存储器设备,包括:
存储器单元,所述存储器单元包括取决于磁体的磁化状态来保持信息的存储器元件;以及
相互交叉的两种类型的布线和其它类型的布线,
所述存储器单元具有存储器单元结构,所述存储器单元结构包括:
晶体管,所述晶体管使用在通过将硅衬底加工为槽形而形成的凹部的底部中形成的第一扩散层和在所述凹部的两个相对侧壁部分各自的上端部中形成的第二扩散层来在两个侧壁部分中、所述第一扩散层和所述第二扩散层之间的部分处形成沟道,以及
存储器元件,所述存储器元件设置在所述第一扩散层之下,所述第一扩散层经由在使所述硅衬底薄膜化之后形成的触点而电连接到所述存储器元件,
在所述两种类型的布线之间经由所述晶体管向所述存储器元件提供电流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造