[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：

多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，该多个半导体层包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；

非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有多个开口，该非导电性反射膜包括分布布拉格反射器，该分布布拉格反射器反射来自有源层的光；

第一电极部，其与第一半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的一个，且该第一电极部包括多个欧姆接触焊盘、第一连接电极和第一接合焊盘，该多个欧姆接触焊盘形成在通过该多个开口而露出的该第一半导体层上，该第一连接电极延续到多个开口而与多个欧姆接触焊盘电连接，且具有手指形状，该第一接合焊盘与第一连接电极电连接；

第二电极部，其与第二半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的另一个；及

绝缘层，其设于第一接合焊盘与非导电性反射膜之间，其中，

通过形成于绝缘层的开口，第一接合焊盘与第一连接电极电连接，

具有所述手指形状的所述第一连接电极设置在包括所述分布布拉格反射器的所述非导电性反射膜上，并被所述绝缘层覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

多个欧姆接触焊盘分别包括：

接触层，其减小与多个半导体层电气地连通的电阻；

反射层，其形成在接触层上；

扩散防止层，其形成在反射层上；

氧化防止层，其形成在扩散防止层上；及

蚀刻防止层，其形成在氧化防止层上，

通过去除与开口对应的蚀刻防止层，电连接器与氧化防止层接触。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

第二电极部包括：

下部电极，其设于第二半导体层与非导电性反射膜之间；

上部电极，其形成在非导电性反射膜上；及

电连接器，其贯穿非导电性反射膜而与下部电极接触，

下部电极包括从多个半导体层上长幅延伸的分支电极及凸台状的欧姆接触焊盘中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

通过多个开口分别形成的非导电性反射膜的面是倾斜的。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

第一接合焊盘具备作为最上层而含锡的焊层。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

第一接合焊盘具备：

含锡的焊层；及

氧化防止层，其由Au及Pt中的至少一种构成，且形成在焊层上。

7.根据权利要求6所述的半导体发光元件，其特征在于，

焊层的厚度为以上，氧化防止层的厚度为以下。

8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

在形成多个开口时被蚀刻而减少高度差的露出面构成了多个开口各自的上缘边。