[发明专利]晶体管阵列布线有效
申请号: | 201480055851.4 | 申请日: | 2014-10-07 |
公开(公告)号: | CN105659384B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | S·里德尔 | 申请(专利权)人: | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 阵列 布线 | ||
1.一种包含晶体管阵列的装置,其中所述装置包括:在第一层级的第一导体层,所述第一导体层限定了为所述晶体管阵列在所述第一层级提供源电极或栅电极中的一个的多个第一导体;在第二层级的第二导体层,所述第二导体层限定了为所述晶体管阵列在所述第二层级提供源电极或栅电极中的另一个的多个第二导体;其中所述第二导体层还限定了所述第二导体之间的一个或多个位置处的布线导体,每个布线导体通过一个或多个层间导电连接连接到相应的第一导体;其中所述层间导电连接形成均匀的层间导体阵列的一部分,并且所述均匀的层间导体阵列还包括在所述布线导体和所述第一导体之间不提供导电连接的层间导体。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述第一导体为所述晶体管阵列提供源电极,而所述第二导体为所述晶体管阵列提供栅电极。
3.如权利要求2所述的装置,其中每个第一导体与所述晶体管阵列的相应的一个或多个列相关联,而每个第二导体与所述晶体管阵列的相应的一个或多个行相关联。
4.如权利要求1所述的装置,其中所述第一导体为所述晶体管阵列提供栅电极,而所述第二导体为所述晶体管阵列提供源电极。
5.如权利要求1所述的装置,其中所述第二导体和所述布线导体终止于所述晶体管阵列的共用侧。
6.如权利要求5所述的装置,还包括在所述晶体管阵列的所述共用侧的驱动器芯片,所述驱动器芯片包括源极输出端子和栅极输出端子,其中所述源极输出端子和所述栅极输出端子的顺序与在所述晶体管阵列的所述共用侧处的所述第二导体和所述布线导体的顺序相匹配。
7.如权利要求1所述的装置,其中所述第一层级在所述第二层级之下。
8.如权利要求1所述的装置,其中在所述布线导体和所述第一导体之间不提供导电连接的所述层间导体包括从所述布线导体至所述第一层级的不存在所述第一导体的位置的层间导体。
9.如权利要求1或8所述的装置,其中所述层间导体延伸通过一个或多个层,所述一个或多个层包括为所述晶体管阵列提供半导体沟道的半导体层以及为所述晶体管阵列提供栅极电介质的电介质层。
10.如权利要求1所述的装置,其中形成所述层间导电连接的所述层间导体以及在所述布线导体和所述第一导体之间不提供导电连接的层间导体二者由相同的导体材料形成。
11.如权利要求8所述的装置,其中形成所述层间导电连接的所述层间导体以及从所述布线导体至所述第一层级的不存在所述第一导体的位置的层间导体二者由相同的导体材料形成。
12.如权利要求1所述的装置,其中所述第二导体或所述布线导体中的一者与所述第二导体或所述布线导体中的另一者在所述晶体管阵列的边缘向外的区域中在不同层级处交叉。
13.如权利要求12所述的装置,其中所述第二导体或所述布线导体中的一者通过所述晶体管阵列的边缘处的第二层间导电连接从所述第二层级布线至另一层级。
14.如权利要求13所述的装置,其中所述另一层级是所述第一层级。
15.如权利要求12所述的装置,其中为晶体管阵列提供栅极电介质的电介质层至少在所述交叉的区域中位于所述第二导体和所述布线导体之间。
16.如权利要求13所述的装置,包括第三层间导电连接,所述第三层间导电连接将通过所述第二层间导电连接布线至所述另一层级的所述第二导体和所述布线导体中的一者从所述另一层级布线至一个或多个驱动器芯片所位于的层级。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弗莱克因艾伯勒有限公司,未经弗莱克因艾伯勒有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480055851.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的