[发明专利]用于纯化半导体单壁碳纳米管的方法

权利要求书

1.一种用于将半导体单壁碳纳米管(sc-SWCNT)与金属单壁碳纳米管(m-SWCNT)选择性地分离的方法，所述方法包括：在非极性溶剂中使用共轭聚合物对sc-SWCNT和m-SWCNT的混合物进行提取以产生富集的sc-SWCNT分散液；以及使所述富集的sc-SWCNT分散液暴露于非极性溶剂中的无机吸附介质，所述无机吸附介质选择性地结合所述m-SWCNT以将所述sc-SWCNT与所述m-SWCNT进一步分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其中sc-SWCNT和m-SWCNT的所述混合物包含具有在0.6nm至2.2nm范围的平均直径的SWCNT。

3.根据权利要求1所述的方法，其中sc-SWCNT和m-SWCNT的所述混合物是通过HiPco、CoMoCAT、CVD、电弧放电、激光烧蚀或等离子体方法制备的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中使用所述共轭聚合物以0.5:1至10.0:1的聚合物:SWCNT质量比对sc-SWCNT和m-SWCNT的所述混合物进行提取。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包括聚芴。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包括聚噻吩。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包括9,9-二烷基取代的聚芴。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包括3-烷基取代的聚噻吩。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包括9,9-二C10-36烷基取代的聚芴。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包括9,9-二C10-18烷基取代的聚芴。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包括3-C10-18烷基取代的聚噻吩。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包括9,9-二C10-18烷基取代的芴与一种或多种共聚单体单元的共聚物，所述共聚单体包括噻吩、联噻吩、亚苯基、联吡啶、咔唑、蒽、萘或苯并噻二唑中的一种或多种。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包括3-C10-18烷基取代的噻吩与一种或多种共聚单体单元的共聚物，所述共聚单体包括芴、联噻吩、亚苯基、联吡啶、咔唑、蒽、萘或苯并噻二唑中的一种或多种。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物具有大于10,000Da的数均分子量。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物具有10,000Da至30,000Da的数均分子量。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其中所述无机吸附介质包含在所述非极性溶剂中稳定的无机氧化物。

17.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其中所述无机吸附介质包括二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、沸石、硅藻土或其混合物。

18.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其中所述无机吸附介质包括二氧化硅。