[发明专利]2，2，4，4-四甲硅烷基五硅烷及其组合物、方法和用途

权利要求书

1.一种化合物，所述化合物为2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷。

2.一种化学组合物，所述化学组合物包含2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷以及与2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷不同的一种或多种附加成分。

3.根据权利要求2所述的化学组合物，所述化学组合物包含2,2-二甲硅烷基三硅烷，其中所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷的气相色谱面积％浓度大于所述2,2-二甲硅烷基三硅烷的气相色谱面积％浓度。

4.根据权利要求3所述的化学组合物，其中所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷的浓度为基于所述化学组合物的总气相色谱面积计至少70气相色谱面积％。

5.根据权利要求4所述的化学组合物，所述化学组合物的特征在于具有总计0至9面积％的除所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷之外的壬硅烷结构异构体。

6.根据权利要求5所述的化学组合物，所述化学组合物的特征在于不含除所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷之外的壬硅烷结构异构体。

7.根据权利要求2所述的化学组合物，所述化学组合物包含2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷、单硅烷和2,2-二甲硅烷基三硅烷的混合物。

8.一种制备2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷的方法，所述方法包括使2,2-二甲硅烷基三硅烷与缩合反应催化剂在缩合反应条件下接触，以便合成所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷并且制备包含所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷的产物组合物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述产物组合物还包含单硅烷和2,2-二甲硅烷基三硅烷。

10.一种纯化2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷的方法，在纯化之前所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷处于包含2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷、单硅烷和2,2-二甲硅烷基三硅烷的混合物中，所述方法包括将所述单硅烷和所述2,2-二甲硅烷基三硅烷与所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷分离而得到剩余部分，所述剩余部分包含2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷，但不含分离的单硅烷和2,2-二甲硅烷基三硅烷，其中所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷在所述剩余部分中的浓度大于所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷在所述混合物中的浓度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷在所述剩余部分中的浓度为基于所述剩余部分的总气相色谱面积计至少70气相色谱面积％。

12.根据权利要求10或11所述的方法，所述方法还包括从所述剩余部分中蒸馏出所述2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷，而得到包含至少90面积％2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷的馏出液。

13.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括蒸馏任何未反应的2,2-二甲硅烷基三硅烷而得到回收的2,2-二甲硅烷基三硅烷，以及使所述回收的2,2-二甲硅烷基三硅烷与缩合反应催化剂在缩合反应条件下接触，以便合成附加量的2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷并且制备包含所述附加量的2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷的产物组合物。

14.一种在第一基材的表面上形成与所述表面接触的含硅材料或者在设置在第二基材上的晶种层上形成与所述晶种层接触的含硅材料的方法，所述方法包括使不含晶种层的第一基材的暴露表面或者使设置在第二基材的表面上的晶种层，接触包含2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷的前体组合物的蒸气，其中所述接触包括材料沉积方法并且在所述第一基材的所述暴露表面上形成与所述暴露表面接触的含硅材料或者在设置在所述第二基材的所述表面上的所述晶种层上形成与所述晶种层接触的含硅材料。

15.根据权利要求14所述的方法，所述方法包括在第一基材的表面上形成与所述表面接触的含硅膜或者在设置在第二基材上的晶种层上形成与所述晶种层接触的含硅膜的方法，所述方法包括使不含晶种层的第一基材的暴露表面或者使设置在第二基材的表面上的晶种层，接触包含2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷的前体组合物的蒸气，其中所述接触包括膜沉积方法并且在所述第一基材的所述暴露表面上形成与所述暴露表面接触的含硅膜或者在设置在所述第二基材的所述表面上的所述晶种层上形成与所述晶种层接触的含硅膜。