[发明专利]图案形成方法、图案掩模的形成方法、电子器件的制造方法及电子器件

权利要求书

1.一种图案形成方法，其特征在于，包含如下工序：

(I)将含有树脂(A)及化合物(B)的感活性光线性或感辐射线性树脂组合物涂布于基板 上来形成第一膜，其中，所述树脂包含具有通过酸的作用分解而产生极性基团的基团的重 复单元，所述化合物通过活性光线或辐射线的照射而产生酸；

(II)将第一膜进行曝光；

(III)对经曝光的第一膜进行显影来形成线与空间图案；及

(IV)用第二膜包覆线与空间图案，

工序(III)中所形成的线与空间图案中的线图案的顶部宽度大于底部宽度。

2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中，

工序(III)中所形成的线图案中的底部宽度相对于顶部宽度之比即顶部宽度/底部宽 度为1.01以上且1.50以下。

3.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中，

工序(III)中所形成的线图案中的底部宽度相对于顶部宽度之比即顶部宽度/底部宽 度为1.05以上且1.30以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其中，

工序(IV)中所形成的第二膜的膜厚为5～30nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的图案形成方法，其中，

工序(IV)中所形成的第二膜为硅氧化物膜。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的图案形成方法，其中，

在工序(IV)中，第二膜通过化学气相沉积法而包覆在所述线与空间图案上。

7.根据权利要求6所述的图案形成方法，其中，

在100℃以上且300℃以下的温度条件下进行通过化学气相沉积法进行的第二膜的包 覆。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的图案形成方法，其中，

通过活性光线或辐射线的照射而产生酸的化合物(B)的CLogP值为0以上且4.0以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的图案形成方法，其中，

通过活性光线或辐射线的照射而产生酸的化合物(B)为下述通式(IIIB-2)所表示的化 合物，

[化学式1]

式中，

X⁺表示有机阳离子；

Q_b1表示具有脂环基的基团、具有内酯结构的基团、具有磺内酯结构的基团或具有环状 碳酸酯结构的基团。

10.一种图案掩模的形成方法，其特征在于，包含如下工序：

(I)将含有树脂(A)及化合物(B)的感活性光线性或感辐射线性树脂组合物涂布于基板 上来形成第一膜，其中，所述树脂包含具有通过酸的作用分解而产生极性基团的基团的重 复单元，所述化合物通过活性光线或辐射线的照射而产生酸；

(II)将第一膜进行曝光；

(III)对经曝光的第一膜进行显影来形成第一线与空间图案；

(IV)用第二膜包覆第一线与空间图案；

(V)去除第一线与空间图案中的线图案的上侧表面和空间部的第二膜，仅在线图案的 侧壁留下第二膜；及

(VI)通过去除所述线图案来形成第二线与空间图案，

工序(III)中所形成的第一线与空间图案中的线图案的顶部宽度大于底部宽度。

11.根据权利要求10所述的图案掩模的形成方法，其中，

工序(III)中所形成的线图案中的底部宽度相对于顶部宽度之比即顶部宽度/底部宽 度为1.01以上且1.50以下。

12.根据权利要求10所述的图案掩模的形成方法，其中，

工序(III)中所形成的线图案中的底部宽度相对于顶部宽度之比即顶部宽度/底部宽 度为1.05以上且1.30以下。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的图案掩模的形成方法，其中，

工序(IV)中所形成的第二膜的膜厚为5～30nm。