[发明专利]用于制备具有大晶粒的再结晶硅衬底的方法

权利要求书

1.一种用于制备平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底(10)的方法，所述方法至少包括以下步骤：

(i)提供多晶硅衬底(1)，所述多晶硅衬底(1)的平均颗粒尺寸小于或等于10μm；

(ii)使所述衬底在至少1000℃的温度下经受整体且均匀的塑性变形；

(iii)使所述衬底经受被定位在多个被称为外部应力区的衬底区(3)中的塑性变形，在两个连续的区(3)之间的间距(e)为至少20μm，所述衬底的局部变形严格地大于在步骤(ii)中执行的整体变形，

步骤(iii)能够与步骤(ii)相继地或者同时地执行；以及

(iv)在严格高于在步骤(ii)中实施的温度的温度下，使在步骤(iii)结束时获得的所述衬底经受固相再结晶热处理，以便获得期望的所述衬底(10)。

2.如权利要求1所述的方法，其中在步骤(i)中的所述衬底(1)的平均颗粒尺寸为5μm或更小。

3.如权利要求1所述的方法，其中在1100℃和1200℃之间的温度下，执行步骤(ii)。

4.如权利要求1所述的方法，其中通过热轧制执行整体塑性变形的步骤(ii)。

5.如权利要求1所述的方法，其中在步骤(ii)结束时所述衬底的均匀塑性变形在1％至20％之间。

6.如权利要求1所述的方法，其中在两个连续的区(3)之间的间距(e)大于或等于80μm。

7.如权利要求1所述的方法，其中，利用梳状物执行局部塑性变形的步骤(iii)，所述梳状物的尖端由维氏硬度大于或等于250Mpa的材料制成。

8.如权利要求1所述的方法，其中通过使所述区(3)暴露于激光辐射，执行局部塑性变形的步骤(iii)。

9.如权利要求1所述的方法，其中在严格低于1000℃的温度下执行步骤(iii)。

10.如权利要求1所述的方法，其中在大于或等于1000℃的温度下执行步骤(iii)。

11.如权利要求10所述的方法，其中局部变形的步骤(iii)与整体变形的步骤(ii)同时执行。

12.如权利要求1所述的方法，其中在步骤(iii)结束时所述衬底的局部塑性变形严格地大于20％。

13.如权利要求1所述的方法，其中在高于步骤(ii)中实施的温度至少50℃的温度下，执行步骤(iv)中的所述再结晶热处理。

14.一种平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底，所述衬底在其至少一个侧面上包括连续的凹槽(4)，该连续的凹槽在竖向横截面中以距离(d)彼此隔开，该距离(d)大于或等于20μm，在平行于所述衬底的厚度的方向上所测量的凹槽的深度为至少5μm，所述衬底(41)的位于所述凹槽下方的那些部分的孔隙度严格地低于所述衬底的剩余部分的孔隙度。

15.如权利要求14所述的衬底，所述衬底的晶粒尺寸在50μm和2000μm之间。

16.如权利要求14所述的衬底，其中在平行于所述衬底的厚度的方向上所测量的凹槽的深度在20μm和100μm之间。

17.一种光伏装置，包括在权利要求14至16中任一项所限定的硅衬底。

18.如权利要求17所述的光伏装置，所述光伏装置是光伏电池。