[发明专利]铜镓溅射靶材

权利要求书

1.一种具有30至68At％的Ga含量的溅射靶材，所述溅射靶材包括至少一种含有Ga和Cu 的金属间相，其特征在于，

所述溅射靶材作为含有Ga和Cu的金属间相仅含有CuGa₂或者CuGa₂的体积比大于Cu₉Ga₄的体积比。

2.一种具有30至68At％的Ga含量的溅射靶材，所述溅射靶材包括至少一种含有Ga和Cu 的金属间相，其特征在于，

在具有含Ga和Cu的金属间相的区域中，平均显微硬度为＜500HV0.01。

3.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，在具有含Ga和Cu的金属间相的区域 中，平均显微硬度为＜500HV0.01。

4.根据权利要求2所述的溅射靶材，其特征在于，所述溅射靶材作为含有Ga和Cu的金属 间相仅含有CuGa₂或者CuGa₂的体积比大于Cu₉Ga₄的体积比。

5.根据上述权利要求中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，至少有90％的Ga作为 CuGa₂存在。

6.根据上述权利要求中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，Ga含量为40至68At％。

7.根据上述权利要求中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，所述溅射靶材包括具 有Cu含量＞80At％的富Cu相，所述富Cu相从纯Cu和含Ga的Cu混合晶体组成的类别中选出。

8.根据权利要求7所述的溅射靶材，其特征在于，所述富Cu相为纯Cu相。

9.根据上述权利要求中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，所述溅射靶材含有＞ 30体积％的CuGa₂。

10.根据上述权利要求中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，CuGa₂/Cu₉Ga₄体积比 为＞2。

11.根据上述权利要求中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，所述溅射靶材含有总 量为0.01至5At％的、由碱金属的类别中选出的至少一种元素。

12.一种用于制造溅射靶材的方法，所述溅射靶材具有30至68At％的Ga含量，其特征在 于，所述方法至少包括以下步骤：

-制造粉末混合物，所述粉末混合物包括含有CuGa₂的颗粒，而且

-将所述粉末混合物压实。

13.根据权利要求12所述的方法用于制造根据权利要求1至11中任意一项所述的溅射 靶材。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述粉末混合物包括纯Cu颗粒和/ 或含Cu混合晶体颗粒。

15.根据权利要求12至14中任意一项所述的方法，其特征在于，所述粉末混合物包括含 有碱金属的颗粒。

16.根据权利要求12至15中任意一项所述的方法，其特征在于，所述含有CuGa₂的颗粒在 具有Cu-Ga金属间相的区域中具有硬度分布的一个最大值或多个最大值，其中，至少一个最 大值为压痕硬度H_IT＜4.5GPa。

17.根据权利要求12至16中任意一项所述的方法，其特征在于，所述含有CuGa₂的颗粒仅 具有CuGa₂或者CuGa₂的体积比大于Cu₉Ga₄的体积比。

18.根据权利要求12至17中任意一项所述的方法，其特征在于，在至少暂时地使用压力 或电场的条件下通过烧结而进行所述压实。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，通过所述电场的作用使直流电引导通过 所述粉末混合物。