[发明专利]光学薄膜晶体管型指纹传感器

说明书

技术领域

本发明涉及光学薄膜晶体管型指纹传感器。

背景技术

近来，电容型和光学型广泛地用于指纹传感器中。

通常，电容型指纹传感器通过使用对电压和电流敏感的半导体器 件来感测由人体的指纹形成的电容从而识别指纹。

与此对比，光学型指纹传感器具有良好的耐久性的优点，并且其 配置成包括光源和光学传感器。光学传感器配置成通过感测从光源发 出的光来感测用户的指纹。

更具体地，在传统的光学指纹传感器中，光源和光学传感器以特 定距离和角度设置。当来自光源的光被用户的指纹反射时，光学传感 器可通过感测由指纹反射的光来确定指纹是否被感测。

然而，传统的光学指纹传感器的问题在于，如果从背光单元辐射 的光是白色的，那么在为了保护光学指纹传感器而粘附了保护膜的情 况下，存在指纹图像变差的现象。

发明内容

技术问题

本发明是考虑到现有技术中发生的以上问题而做出的，并且本发 明的目标是由于背光单元配置成包括红色光源、绿色光源和红外线光 源中的至少一种而获得更加改进的指纹图像。

此外，本发明的另一个目标是尽管为了保护光学指纹传感器不受 静电、外部碰撞或刮伤之害而在上侧形成保护膜，但仍获得改进的指 纹图像，而不产生图像质量变差的现象。

技术方案

根据本实施例的用于解决上述问题的光学薄膜晶体管型指纹传感 器配置成包括：背光单元，包括红色光源、绿色光源和红外线光源中 的至少一种并辐射光；以及光传感器单元，感测从所述背光单元辐射并 由用户的指纹反射的光。

根据本发明的另一个实施例，所述红色光源辐射波长可以为620nm 到680nm的光。

根据本发明的另一个实施例，所述绿色光源辐射波长可以为540nm 到580nm的光。

根据本发明的另一个实施例，所述红外线光源辐射波长可以为740 nm或更长的光。

根据本发明的另一个实施例，还可以包括设置在所述光传感器单元 上方的保护膜。

根据本发明的另一个实施例，所述保护膜的厚度可以为10μm或更 厚。

根据本发明的另一个实施例，还可以包括用于将所述保护膜粘附在 所述光传感器单元上方的粘合材料层。

根据本发明的另一个实施例，所述粘合材料层的透射比可以为90％ 或更高。

根据本发明的另一个实施例，还可以包括用于感测指纹的接触的薄 膜晶体管。

根据本发明的另一个实施例，所述薄膜晶体管可以包括共面的薄膜 晶体管、交错的薄膜晶体管、反向共面的薄膜晶体管和反向交错的薄膜 晶体管中的任一种。

根据本发明的另一个实施例，所述薄膜晶体管可以包括：绝缘衬底； 在所述绝缘衬底上方形成的半导体有源层；在所述半导体有源层上方 形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上方形成的栅极；在所述栅极上 方形成的层间介电膜；以及在所述栅极绝缘膜和所述层间介电膜中形成 的导通孔中形成的源极和漏极。

根据本发明的另一个实施例，所述光传感器单元可以包括：从所述 薄膜晶体管的所述漏极延伸的电极；在延伸的所述电极上方形成的半导 体层；在所述半导体层上方形成的透明电极；在所述半导体层和所述透 明电极上方形成的钝化层；以及在所述钝化层中形成的导通孔中形成并 连接到所述透明电极的偏置电极。

根据本发明的另一个实施例，还可以包括在所述钝化层和所述偏置 电极上方形成的绝缘膜。

有益效果

根据本发明的实施例，因为背光单元配置成包括红色光源、绿色光 源和红外线光源中的至少一种，所以可获得更加改进的指纹图像。

此外，根据本发明的实施例，尽管为了保护光学指纹传感器不受 静电、外部碰撞或刮伤之害而在光学指纹传感器上形成保护膜，但仍 可获得改进的指纹图像，而不产生图像质量变差的现象。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的光学薄膜晶体管型指纹传感器的截 面图。

图2是根据本发明的另一个实施例的光学薄膜晶体管型指纹传感 器的截面图。

图3是通过传统光学型薄膜晶体管型指纹传感器获得的指纹图 像。

图4是通过根据本发明的实施例的光学薄膜晶体管型指纹传感器 获得的指纹图像。