[发明专利]LED阵列的线性高装填密度有效
申请号: | 201480052653.2 | 申请日: | 2014-08-22 |
公开(公告)号: | CN105593977B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·R·约翰逊;约瑟夫·M·拉内什 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 阵列 线性 装填 密度 | ||
1.一种用于将辐射能量提供至处理腔室的设备,所述设备包括:
支撑基板;
第一多个固态光源,所述第一多个固态光源设置于所述支撑基板的第一表面上;和
第二多个固态光源,所述第二多个固态光源设置于所述支撑基板的所述第一表面上,其中所述第一多个固态光源与所述第二多个固态光源相邻且对准,所述第一多个固态光源中的各固态光源与所述第二多个固态光源中的任何固态光源电隔离,并且其中在所述第一多个固态光源中的第一固态光源与与所述第一固态光源最邻近的第二固态光源之间的电压降,与在所述第二多个固态光源中的第三固态光源与与所述第三固态光源最邻近的第四固态光源之间的电压降相等,其中所述第一固态光源与所述第三固态光源彼此最邻近并且在相同的电压额定值下可操作,并且所述第二固态光源与所述第四固态光源彼此最邻近并且在相同的电压额定值下可操作,并且所述第一多个固态光源与所述第二多个固态光源之间具有零电位差,并且所述第一多个固态光源与所述第二多个固态光源物理接触。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述第一多个固态光源中的各固态光源在第一触点与第二触点之间以串联方式电性连接,且所述第二多个固态光源中的各固态光源在第三触点与第四触点之间以串联方式电性连接,并且其中所述第一触点与所述第三触点具有第一电位,并且所述第二触点与所述第四触点具有不同于所述第一电位的第二电位。
3.如权利要求2所述的设备,其中所述第一多个固态光源和所述第二多个固态光源在所述支撑基板的所述第一表面上以多个直径增加的同心环来布置。
4.一种用于将辐射能量提供至处理腔室的设备,所述设备包括:
支撑基板;
第一多个固态光源,所述第一多个固态光源设置于所述支撑基板的第一表面上;和
第二多个固态光源,所述第二多个固态光源设置于所述支撑基板的所述第一表面上,其中所述第一多个固态光源中的各固态光源与所述第二多个固态光源中的任何固态光源电隔离,并且所述第一多个固态光源与所述第二多个固态光源之间具有零电位差,并且所述第一多个固态光源与所述第二多个固态光源物理接触。
5.如权利要求4所述的设备,其中所述第一多个固态光源和所述第二多个固态光源在所述支撑基板的所述第一表面上以多个直径增加的同心环来布置。
6.如权利要求4所述的设备,其中所述第一多个固态光源和所述第二多个固态光源的所述固态光源为发光二极管(LED)或激光。
7.如权利要求4所述的设备,其中所述第一多个固态光源中的各固态光源在第一触点与第二触点之间以串联方式电性连接,且所述第二多个固态光源中的各固态光源在第三触点与第四触点之间以串联方式电性连接,并且其中所述第一触点与所述第三触点具有不同的电位,并且其中所述第二触点与所述第四触点具有不同的电位。
8.如权利要求4所述的设备,其中所述第一多个固态光源中的各固态光源在第一触点与第二触点之间以串联方式电性连接,且所述第二多个固态光源中的各固态光源在第三触点与第四触点之间以串联方式电性连接,并且其中所述第一触点与所述第三触点电性连接,并且其中所述第二触点与所述第四触点电性连接。
9.如权利要求4所述的设备,其中所述第一多个固态光源中的各固态光源在第一触点与第二触点之间以串联方式电性连接,且所述第二多个固态光源中的各固态光源在第三触点与第四触点之间以串联方式电性连接,并且其中所述第一触点和所述第三触点连接至单一电性端子,并且其中所述第二触点和所述第四触点连接至单一电性端子。
10.如权利要求4所述的设备,其中所述第一多个固态光源中的各固态光源在第一触点与第二触点之间以串联方式电性连接,且所述第二多个固态光源中的各固态光源在第三触点与第四触点之间以串联方式电性连接,并且其中所述第一触点和所述第三触点设置于所述支撑基板的周围区域处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造