[发明专利]非晶硅膜的蒸镀方法及蒸镀装置

权利要求书

1.一种非晶硅膜的蒸镀方法，其特征在于，

在腔内部装载基板的状态下，在上述基板上供给源气体和气氛气体，

在工序压力下的工序温度，在上述基板上蒸镀非晶硅膜，

其中，上述源气体是硅烷(SiH2)、乙硅烷(Si2H6)、二氯甲硅烷(SiCl2H2)中的一种以上，

其中，上述工序温度被调节为540℃～570℃的范围，且上述工序压力被调节为1～300Torr的范围，从而上述源气体热分解而在上述基板上蒸镀上述非晶硅膜，

其中，上述气氛气体是氢和氦中的一种以上，

上述源气体的流量是0.5～300sccm，

上述气氛气体的流量是100～25000sccm，

上述非晶硅膜被蒸镀为厚度。

2.如权利要求1所述的非晶硅膜的蒸镀方法，其特征在于，

其中，上述非晶硅膜被蒸镀为具有1nm以下的表面粗糙度。

3.如权利要求1所述的非晶硅膜的蒸镀方法，其特征在于，

其中，上述基板位于加热器上，且上述基板被上述加热器加热至上述工序温度。

4.如权利要求1所述的非晶硅膜的蒸镀方法，其特征在于，

其中，上述基板位于加热器上，且上述源气体被上述加热器分解。

5.一种非晶硅膜的蒸镀装置，其特征在于，包括：

腔，用于提供内部空间，以便在工序压力下的工序温度在上述内部空间对基板实施工序；

真空接口，上述内部空间的未反应气体及反应副产物通过该真空接口排放；以及

加热器，设在上述腔内来支承上述基板并加热上述基板；

第1供给线路及第2供给线路，被连接在上述腔的一侧所形成的导入部，通过上述导入部向上述腔内部分别供给源气体及气氛气体；及

第1储存罐及第2储存罐，分别连接在上述第1供给线路及第2供给线路而存储有上述源气体及上述气氛气体，上述源气体是硅烷(SiH2)、乙硅烷(Si2H6)、二氯甲硅烷(SiCl2H2)中的一种以上；

排放线路，与上述真空接口连接；

真空泵，用于强制排放上述内部空间的未反应气体及反应副产物；

控制部，用于控制上述加热器将上述工序温度调节为540℃～570℃的范围，且在上述内部空间进一步控制上述真空泵将上述工序压力调节为1～300Torr的范围，从而上述源气体热分解而在上述基板上蒸镀厚度的上述非晶硅膜；以及

在第一供给线路和第二供给线路上设置的第一流量控制器和第二流量控制器，分别用于调节上述源气体及上述气氛气体的供给流量，

其中，上述气氛气体是氢和氦中的某一种以上，

其中，上述第一流量控制器调节上述源气体的供给流量为0.5sccm～300sccm范围，并且，上述第二流量控制器调节上述气氛气体的供给流量为100sccm～25000sccm范围。