[发明专利]光电子发光组件和导体框复合件

权利要求书

1.一种光电子半导体器件(1)，其具有设置用于产生辐射的半导体芯片(2)和壳体(3)，在所述壳体中设置有半导体芯片，其中

-所述壳体具有带有第一连接导体(51)和第二连接导体(52)的导体框(5)；

-所述壳体具有局部包围所述导体框的壳体本体(4)，其中所述壳体本体沿竖直方向在安装侧(42)和前侧(41)之间延伸；

-所述第一连接导体具有凹处(6)，在所述凹处中所述半导体芯片固定在所述第一连接导体上；

-所述凹处的侧面(60)形成用于在运行中由所述半导体芯片放射的辐射的反射器；

-所述第一连接导体在所述安装侧上从所述壳体本体中伸出；

-所述半导体芯片至少局部地没有邻接于所述半导体芯片的封装材料，以及

-所述凹处的竖直伸展是所述半导体芯片的竖直伸展的至少三倍大。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中所述导体框在所述凹处的侧面的区域中具有比在所述凹处的底面的区域中更小的厚度。

3.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中所述半导体器件是能表面安装的。

4.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中所述凹处的侧面(60)借助于覆层构成为反射器。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子半导体器件，其中所述凹处的相对置的侧面形成60°和80°之间的张角，其中包括边界值。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子半导体器件，其中所述壳体本体在前侧上具有用于覆盖件的至少一个固定设备(45)。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子半导体器件，其中所述半导体器件具有覆盖件(7)，在所述半导体芯片中产生的辐射穿过所述覆盖件出射。

8.根据权利要求7所述的光电子半导体器件，其中所述覆盖件构成为预制的光学元件。

9.根据权利要求7所述的光电子半导体器件，其中所述半导体芯片和所述覆盖件之间的中间腔(71)没有固态材料。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子半导体器件，其中所述半导体器件具有ESD保护元件(8)。

11.一种用于制造光电子半导体器件的方法，其中制造导体框复合件(50)，所述导体框复合件具有多个器件区域(500)，所述方法具有如下步骤：

a)提供用于所述导体框复合件的基础材料；

b)通过深冲法在所述基础材料中构成凹处(6)；

c)构成连接导体(51，52)，使得每个器件区域具有第一连接导体和第二连接导体；

其中局部地借助用于构成壳体本体(4)的模塑料环绕成形导体框复合件，并且分割所述导体框复合件，使得每个壳体具有壳体本体和带有第一连接导体(51)和第二连接导体(52)的导体框(5)，以及

其中在所述壳体中安置半导体芯片(2)，其中所述凹处的竖直伸展是所述半导体芯片的竖直伸展的至少三倍大，以及其中在制成的光电子半导体器件中所述半导体芯片至少局部地没有邻接于所述半导体芯片的封装材料。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述凹处借助于冲挤构成。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述基础材料设置有覆层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述基础材料的覆层在构成凹处之后才进行。

15.根据权利要求11所述的方法，其中制造根据权利要求1至10中任一项所述的光电子半导体器件(1)。