[发明专利]用于陶瓷金属过渡物的陶瓷金属化的制造方法及陶瓷金属过渡物本身

说明书

根据权利要求1和5的前序部分，本发明涉及用于低、中和高电压技术的 陶瓷金属过渡物的陶瓷金属化的制造方法和陶瓷金属过渡物本身。

用于低、中和高电压开关或开关装置的零件的陶瓷金属过渡物的陶瓷金属 化的制造方法，其从主要由Al₂O₃材料组成的陶瓷体开始，该陶瓷体覆盖有标准 应用中的第一MoMn(或钨(W))层和第二Ni层，通常在Ni层上顶部布置钎 焊箔材。然后接下来是金属部件，随后在上述层的区域内将该金属部件与该陶 瓷体钎焊。通常必须使用钎焊箔材。

为了获得与真空断路器的陶瓷体的气密连接，通常使用钎焊技术。在标准 制造工艺(这里是零件的抽气工艺和最后的步骤：钎焊工艺)期间完成钎焊工 艺。为了进行钎焊，必须增加额外的钎焊箔材，并且该额外的钎焊箔材在该陶 瓷体的两侧上。

因此，本发明的目的是避免钎焊箔材以便克服使用薄的钎焊箔材带来的问 题，使制造更容易而且还有效得多。

因此，由本发明给出的解决方案是在Ni层顶部上设置Ag层作为第三层， 然后在顶部上布置金属部件并通过钎焊或回火来连接金属部件。

这样完全避免了使用钎焊箔材。

其优点是可以避免对于所有陶瓷金属连接而言单独使用钎焊箔材。

这通过减少所使用的元件来降低制造成本。

在进一步的实施方案中，在真空、惰性或活性气体(氢)环境下通过回火 原位进行钎焊步骤。

在第一有利的替代方案中，电镀设置该Ag层。

在第二有利的替代方案中，通过冷气喷涂设置该Ag层。

根据用于低、中或高电压用途的开关的结构元件，过渡区由层系统组成， 其中第一层是MoMn或钨，第二层是Ni，并且最后一层是Ni层顶部上的Ag，该 最后一层通过在原位钎焊或者回火直接连接到金属部件。

本发明的一大优势在于该结构元件是真空断路器或设备，其中盖子借助上 述特征气密连接到真空断路器/设备的陶瓷体。

本发明如附图所示。

图1示出了真空断路器的一部分。主要部分是圆柱形陶瓷体。在圆柱体的 边缘处，所述边缘覆盖有不同金属的层系统。陶瓷体通常由Al₂O₃(氧化铝)陶 瓷制成。

如此，在圆柱形陶瓷体的环形端表面上沉积的第一层是MoMn(钼锰)合金。 顶部上的第二层是Ni(镍)。

下一步骤是在其顶部上沉积银层(Ag)。

随后盖子设置于上部Ag层的顶部上，然后通过回火或钎焊，这意味着温 度在超过合金化点的温度下持续，导致在该区域中通过金属扩散的原位合金化 过程。