[发明专利]具有附加的延迟元件的多赫蒂放大器

说明书

一种放大器(2)包括两个放大器电路(16、17)以及功率分配器(15)。所述功率分配器(15)将待放大的信号拆分，并在额定频率下在产生的部分信号之间生成90°的相移。所述放大器电路(16、17)均放大所述部分信号中的一个部分信号或源自于所述部分信号中的一个部分信号的信号。所述放大器(2)还包括布置在功率分配器(15)与其中一个放大器电路(17)之间的第一延迟元件(30)。

技术领域

本发明涉及可以作为多赫蒂放大器操作、并且与多赫蒂放大器对比提供附加的延迟元件的放大器。

背景技术

在无线电广播技术中，近年来已经越来越多地使用根据多赫蒂原理的高频放大器，尤其是在具有非恒定包络和高波峰因子的调制方法的情况中，诸如DVB信号。通过与常规的放大器比较，该高频放大器的特征在于，效率显著提高、同时电路复杂性几乎不改变。

在该情况下，通常以AB模式操作的主晶体管，以小的输入信号作用于增大的负载电阻，使得该主晶体管甚至从相对低的电平(例如，低于1dB压缩点的6dB)达到饱和，因此以最大效率操作。高于由主晶体管中的饱和电平限定的电平阈值，第二辅助晶体管以C模式操作。通过其输出信号，其降低了主晶体管的负载电阻。通过全电平控制，主晶体管的负载电阻相应地减少电平阈值与1dB压缩点之间的比率，且主晶体管发出相应的较高的功率。在6dB示例中，获得了电阻减半且因此功率翻倍。

因此，根据该电平阈值，尽管饱和，主晶体管发出增大的输出功率，且在该情况下总是以最大的效率操作。这仅仅在辅助晶体管的工作阶段期间通过其功耗降低，但与常规的AB放大器相比，仍显著升高。利用信号峰中的放大器的全电平控制，两个晶体管均传送系统的输出功率的一半。

主晶体管的负载电阻的动态降低如下进行：两个晶体管对相同的负载电阻起作用，该相同的负载电阻对应于系统波阻的一半，通常为25欧姆。在该情况下，辅助晶体管和主晶体管经由阻抗逆变器直接连接到负载。在低电平下，辅助晶体管不操作。其输出是高欧姆的，且因此不提供干扰。通过匹配网络和线调谐晶体管电容。主晶体管对被阻抗逆变器放大的负载起作用。在具有6dB阈值的示例中，因此这是100欧姆。出于该目的，阻抗逆变器具有50欧姆的波阻。根据电平阈值，辅助晶体管的电流将主晶体管的电流叠加在负载电阻上。理想上，这发生自开路，因此其开始传送输出功率的增大部分。

尺寸定为工作波长的四分之一的线通常被用作阻抗逆变器。这在主晶体管的支路中被再次补偿，例如，还通过布置在功率分配器后面的λ/4线或通过90°功率分配器补偿。

为了确保来自输出匹配网络后面的主晶体管和辅助晶体管的阻抗在工作频率下是实数且高欧姆的，常规上提供两个偏置线。以此方式，可以对输出匹配网络自由地定尺寸。相反，在主晶体管的情况下的偏置线还确保，从主晶体管的角度看，在阻抗逆变器的输入端的电阻的动态变化，在6dB示例中，在工作频率下，按实质计算，转化为到漏极的100欧姆到50欧姆。

因此，例如，文献WO 2012/150126 A1示出了常规的多赫蒂放大器。尽管多赫蒂放大器已经实现了比常规的宽频带放大器好的效率，但其效率也不是最佳的。

发明内容

本发明基于提供具有很高的效率的放大器的目的。

根据本发明，该目的通过具有独立权利要求1的特征的放大器实现。有利的另外的发展形成与该独立权利要求1回溯地相关的从属权利要求的主题。