[发明专利]基板及其制造方法、发光元件及其制造方法、以及具有该基板或发光元件的装置在审

专利信息
申请号: 201480051188.0 申请日: 2014-08-25
公开(公告)号: CN105684166A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 青田奈津子;会田英雄;木村丰;诹访充史;鸭川政雄 申请(专利权)人: 并木精密宝石株式会社;东丽株式会社
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L21/316
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;刘华联
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 及其 制造 方法 发光 元件 以及 具有 装置
【权利要求书】:

1.一种基板的制造方法,其特征在于,

准备平坦的基板,

在所述基板面上形成含有感光剂的电介质,

图案形成所述电介质,将所希望的图案的所述电介质形成于所述基板面上。

2.根据权利要求1所述的基板的制造方法,其特征在于,

在图案形成所述电介质后对所述电介质进行退火,将所希望的所述图案的所述电介质形 成于所述基板面上。

3.根据权利要求2所述的基板的制造方法,其特征在于,

在图案形成所述电介质后,且在所述退火前对所述电介质进行后烘烤。

4.根据权利要求3所述的基板的制造方法,其特征在于,

在100℃以上且400℃以下的温度范围进行所述后烘烤。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的基板的制造方法,其特征在于,

在600℃以上且1700℃以下的温度范围进行所述退火。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板的制造方法,其特征在于,

所述电介质为硅氧烷树脂组合物、含有氧化钛的硅氧烷树脂组合物、含有氧化锆的硅氧 烷树脂组合物中的任一种。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的基板的制造方法,其特征在于,

通过将所述电介质涂布于所述基板面上,从而将所述电介质形成于所述基板面上,

接着,对在所述基板面上形成了所述电介质的所述基板进行预烘烤,

接着,使用掩模,将所述电介质曝光成所希望的所述图案,

接着,对曝光了的所述电介质进行显影,

对所述电介质进行所述退火,在所述基板面上形成所希望的所述图案的所述电介质。

8.根据权利要求2至6中任一项所述的基板的制造方法,其特征在于,

用所希望的所述图案,将所述电介质直接图案形成于所述基板面上,

接着,对在所述基板面上形成了所述电介质的所述基板进行预烘烤,

接着,对所述电介质进行曝光,

对所述电介质进行所述退火,在所述基板面上形成所希望的所述图案的所述电介质。

9.根据权利要求2至6中任一项所述的基板的制造方法,其特征在于,

通过将所述电介质涂布于所述基板面上,将所述电介质形成在所述基板面上,

接着,将模型按压至所述电介质、使所述电介质固化,

将所述电介质进行所述退火,在所述基板面上形成所希望的所述图案的所述电介质。

10.一种基板的制造方法,其特征在于,

准备权利要求1至9中任一项所述的基板,

将所述图案作为掩模,蚀刻处理所述基板的表面,在所述基板的表面形成所希望的所述 图案。

11.一种发光元件的制造方法,其特征在于,

准备权利要求1至10中任一项所述的基板,

在凸部及所述基板上形成GaN层、AlN层、InN层中的至少一层来制造发光元件。

12.一种基板,其特征在于,

在基板的平坦面上具有由岛状的凸部构成的图案,且所述凸部由电介质构成。

13.根据权利要求12所述的基板,其特征在于,

所述凸部的至少一部分为曲面状。

14.根据权利要求12或13所述的基板,其特征在于,

构成所述凸部的电介质以SiO2、TiO2、ZrO2中任一种作为主要成分。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的基板的制造方法,其特征在于,

所述凸部整体为曲面,且具有顶部及侧部并无区别且不存在平坦面的曲面形状。

16.根据权利要求15所述的基板,其特征在于,

所述凸部为半球形。

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