[发明专利]氧化物半导体薄膜的评价装置

权利要求书

1.一种氧化物半导体薄膜的评价装置，其特征在于，具备：

第一激发光照射单元，对形成有氧化物半导体薄膜的样品的测定部位照射第一激发光而在所述氧化物半导体薄膜中生成电子-空穴对；

电磁波照射单元，对所述样品的测定部位照射电磁波；

反射电磁波强度检测单元，对由于所述第一激发光的照射而发生变化的所述电磁波的来自所述样品的反射电磁波强度进行检测；

第二激发光照射单元，对所述样品照射第二激发光而从所述氧化物半导体薄膜生成光致发光光；

发光强度测定单元，对所述光致发光光的发光强度进行测定；以及

评价单元，基于所述反射电磁波强度检测单元的检测数据和所述发光强度测定单元的测定数据来评价所述样品的迁移率和应力耐性，并且，

所述第一激发光照射单元和所述第二激发光照射单元为同一或不同的激发光照射单元，从所述第一激发光照射单元照射的第一激发光的光路与从所述第二激发光照射单元照射的第二激发光的光路的至少一部分相同。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜的评价装置，其中，所述第一激发光照射单元具有输出所述氧化物半导体薄膜的带隙以上的能量的光源。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜的评价装置，其中，所述第二激发光照射单元具有输出相当于在所述氧化物半导体薄膜的带隙中存在的缺陷能级的能量的光源。

4.根据权利要求3所述的氧化物半导体薄膜的评价装置，其中，所述第二激发光照射单元具有输出从所述氧化物半导体薄膜仅激发特定的波长的光致发光光的能量的光源。

5.根据权利要求1~4的任一项所述的氧化物半导体薄膜的评价装置，其中，在所述第一激发光和所述第二激发光的光路上具备对所述第一激发光和/或所述第二激发光的光路进行变更的光路切换单元。

6.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜的评价装置，其中，所述光路切换单元被设置为所述第一激发光和所述第二激发光照射到所述样品的同一或不同的测定处。

7.根据权利要求1~4的任一项所述的氧化物半导体薄膜的评价装置，其中，具备将所述第一激发光和所述电磁波引导到所述样品的所述测定部位的波导管，并且，在所述波导管的与所述样品相邻的一侧的开口部附近的侧面设置有所述第二激发光的导入口。