[发明专利]波长转换的半导体发光器件在审

专利信息
申请号: 201480049378.9 申请日: 2014-07-03
公开(公告)号: CN105493301A 公开(公告)日: 2016-04-13
发明(设计)人: A.D.施里克;O.B.什彻金;H.H.蔡;P.J.施米德特 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李静岚;景军平
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 波长 转换 半导体 发光 器件
【权利要求书】:

1.一种发光器件,包括:

包括设置在n型区与p型区之间的发光层的半导体结构;

设置在由所述发光层发射的光的路径中的第一波长转换层,其中所述第一波长转换层 包括波长转换陶瓷;以及

熔合至所述第一波长转换层的第二波长转换层,其中所述第二波长转换层包括设置在 玻璃中的波长转换材料。

2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一波长转换层发射红光而所述第二波 长转换层发射绿光。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一波长转换层设置在所述第二波长转 换层与所述半导体结构之间。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一波长转换层和所述第二波长转换层 具有成角的侧壁。

5.根据权利要求1所述的发光器件,其中:

所述第一波长转换层和所述第二波长转换层形成波长转换部件;

所述波长转换部件的第一部分具有基本上垂直的侧壁;并且

所述波长转换部件的第二部分具有成角的侧壁。

6.根据权利要求1所述的发光器件,还包括反射材料,其中所述反射材料设置为与所述 第一波长转换层的侧壁、所述第二波长转换层的侧壁、以及所述半导体结构的侧壁中的每 一个相邻。

7.一种方法,包括:

形成波长转换元件,所述形成包括:

形成第一波长转换层,其中所述第一波长转换层为波长转换陶瓷;

将第二波长转换层熔合至所述第一波长转换层;

将所述波长转换元件切分为多个小板;以及

在所述切分之后,将小板附接至半导体发光器件。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,形成第一波长转换层包括将磷光体烧结至晶片。

9.根据权利要求7所述的方法,其中,将第二波长转换层熔合至所述第一波长转换层包 括:

将波长转换材料与玻璃混合;

将混合物辊轧为薄片;

切割所述薄片以适配所述第一波长转换层;以及

将所切割的薄片熔合至所述第一波长转换层。

10.根据权利要求9所述的方法,其中熔合所切割的薄片包括将所切割的薄片和所述第 一波长转换层加热至大于所述玻璃的回流温度的温度。

11.根据权利要求7所述的方法,其中将第二波长转换层熔合至所述第一波长转换层包 括:

将波长转换材料与玻璃混合;

将混合物沉积在所述第一波长转换层上;

散布所述混合物以形成基本上均匀厚度的层。

12.根据权利要求7所述的方法,还包括在将所述第二波长转换层熔合至所述第一波长 转换层之前使所述第一波长转换层薄化。

13.根据权利要求7所述的方法,还包括在将所述第二波长转换层熔合至所述第一波长 转换层之后使所述第二波长转换层薄化。

14.根据权利要求7所述的方法,还包括:

将多个半导体发光器件附接至底座;

将小板附接至所述多个半导体发光器件中的每一个半导体发光器件;

在所述多个半导体发光器件中的邻近半导体发光器件之间设置反射材料。

15.根据权利要求14所述的方法,还包括在邻近半导体发光器件之间设置所述反射材 料之后,使所述反射材料薄化。

16.根据权利要求7所述的方法,其中,将所述波长转换元件切分为多个小板包括在每 个小板上形成成角的侧壁。

17.根据权利要求7所述的方法,其中,将所述波长转换元件切分为多个小板包括:

在每个小板的第一部分上形成具有相对于所述小板的顶表面的第一角度的侧壁;以及

在每个小板的第二部分上形成具有相对于所述小板的顶表面的第二角度的侧壁;

其中所述第一角度不同于所述第二角度。

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