[发明专利]半导体激光模块有效

专利信息
申请号: 201480049363.2 申请日: 2014-09-12
公开(公告)号: CN105518505B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 石毛悠太;早水尚树;片山悦治;木村俊雄 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;H01S5/022
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 王亚爱
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 激光 模块
【权利要求书】:

1.一种半导体激光模块,其特征在于,具备:

半导体激光元件,其输出激光;

光纤,其具备芯部以及形成在该芯部的外周的包层部,从一端入射所述激光,将该激光导波到该半导体激光模块的外部;

光学部件,其配置在所述光纤的外周,将所述光纤固定;

第1固定剂,其将所述光学部件和所述光纤粘固;

光吸收体,其配置在所述光学部件的外周,将该光学部件固定;

第1光阻断部,其配置在所述光纤的所述激光的入射端与所述光学部件之间;和

筐体,其在内部收容所述半导体激光元件、所述光纤的入射所述激光侧的一端、以及所述第1光阻断部,

所述光学部件在所述激光的波长下有光透过性,所述光吸收体在所述激光的波长下有光吸收性,

所述光纤具备突出部,该突出部从所述光学部件向所述激光的入射端侧突出,

所述第1光阻断部在所述突出部的外周与所述光纤分离而配置,

所述第1光阻断部与所述光纤的距离,沿着与所述光纤的长度方向正交的面上的所述激光的椭圆的光束形状的长轴方向,为5μm以上且500μm以下。

2.根据权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述第1固定剂的折射率等于或高于所述包层部的折射率。

3.根据权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,

具有第2固定剂,该第2固定剂将所述光学部件和所述光吸收体粘固,

所述第1固定剂和所述第2固定剂由同一材料构成,

所述第1固定剂以及所述第2固定剂的折射率大致等于所述光学部件的折射率且高于所述包层部的折射率。

4.根据权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述第1光阻断部具有如下构件中的至少一个:含Cu、Ni、不锈钢或Fe的金属构件;具备含Ni、Cr或Ti的表面镀层的构件;或者具备电介质多层膜的构件。

5.根据权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光吸收体经由易导热体与所述筐体连接。

6.根据权利要求5所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述易导热体的热传导率为0.5W/mK以上。

7.根据权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光吸收体具有如下构件中的至少一个:含Cu、Ni、不锈钢或Fe的金属构件;具备含Ni、Cr、Ti的金属或含C的表面镀层的构件;含AlN或Al2O3的陶瓷构件;或者具备含AlN或Al2O3的覆盖表面的陶瓷层的构件。

8.根据权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,

还具备第2光阻断部,该第2光阻断部配置在所述光纤的所述激光的出射端侧,抑制所述激光从所述光学部件的出射。

9.根据权利要求8所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述第2光阻断部具有如下构件中的至少一个:含Cu、Ni、不锈钢或Fe的金属构件;或者具备电介质多层膜的构件。

10.根据权利要求8所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述第2光阻断部的所述光学部件侧的面具有倾斜或曲率,使得入射到该面的光向远离所述光纤的方向反射。

11.根据权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光学部件是圆管状的玻璃毛细管。

12.根据权利要求11所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光学部件的所述圆管的长度方向的长度为3mm以上,所述圆管的内径为0.13mm以下,所述圆管的外径为1.8mm以上。

13.根据权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光吸收体的所述激光的波长下的光吸收率被设为:沿着所述光纤的长度方向,所述激光的入射端侧较低。

14.根据权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光吸收体的与所述光学部件粘固的面的平均表面粗度被设为:沿着所述光纤的长度方向,所述激光的入射端侧较小。

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