[发明专利]有机光电子器件

权利要求书

1.一种有机光电子器件，所述有机光电子器件具有：

-衬底(101)，在所述衬底上设置有第一电极(102)，在所述第一电极上方设置有具有至少一个有机光电子层的有机功能层堆(103)，并且在所述有机功能层堆上方设置有第二电极(104)；

-在所述第二电极(104)上方的薄膜封装件(107)，所述薄膜封装件具有至少一个或多个薄层，所述薄层借助于沉积方法施加在所述第二电极上和所述有机功能层堆上；和

-在所述有机功能层堆(103)和所述薄膜封装件(107)之间除了所述第二电极(104)之外的至少一个第一中间层(121)，所述第一中间层具有与直接相邻的层不同的硬度，

其中至少一个所述第一中间层(121)设置在所述第二电极(104)和所述薄膜封装件(107)之间并且具有金属或金属合金，或者

其中所述第一中间层(121)以直接邻接于所述第二电极(104)的方式设置在所述第二电极(104)的朝向所述有机功能层堆(103)的一侧上，与所述第二电极(104)相比具有更大的硬度，并且具有一种或多种下述材料，所述材料选自：碳化硅、碳化硼、氮化硼和氮化铝钨。

2.根据权利要求1所述的有机光电子器件，其中至少一个所述第一中间层(121)设立用于：保护所述有机功能层堆(103)免受因杂质颗粒(900)引起的损坏。

3.根据权利要求2上述的有机光电子器件，其中所述杂质颗粒位于所述第二电极(104)和所述薄膜封装件(107)之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机光电子器件，其中

-至少一个所述第一中间层(121)设置在所述第二电极(104)和所述薄膜封装件(107)之间，和

-至少一个所述第一中间层(121)与以直接邻接于所述第一中间层(121)的方式位于所述第一中间层下方的层相比并且与以直接邻接于所述第一中间层(121)的方式位于所述第一中间层上方的层相比具有更小的硬度。

5.根据权利要求4所述的有机光电子器件，其中所述第一中间层(121)具有大于或等于200nm并且小于或等于10μm的厚度。

6.根据权利要求4所述的有机光电子器件，其中以直接邻接于所述第一中间层(121)的方式位于所述第一中间层下方的层是所述第二电极(104)。

7.根据权利要求6所述的有机光电子器件，其中所述第二电极(104)具有Al、Ag、Mg或者其组合，并且所述第一中间层(121)具有In、Ga、Zn或其组合。

8.根据权利要求4所述的有机光电子器件，其中以直接邻接于所述第一中间层(121)的方式位于所述第一中间层下方的层是第二中间层(122)，所述第二中间层设置在所述第二电极(104)上并且与所述第二电极(104)相比具有更大的硬度。

9.根据权利要求8所述的有机光电子器件，其中所述第二中间层(122)具有Cr、Wo、V、Os、Ru、Ir或者其组合。

10.根据权利要求4所述的有机光电子器件，其中以直接邻接于所述第一中间层(121)的方式位于所述第一中间层上方的层通过所述薄膜封装件(107)的层形成。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的有机光电子器件，其中

-至少一个所述第一中间层(121)设置在所述第二电极(104)和所述薄膜封装件(107)之间，和

-至少一个所述第一中间层(121)直接邻接于所述第二电极(104)并且与所述第二电极(104)相比具有更大的硬度。

12.根据权利要求11所述的有机光电子器件，其中所述第一中间层(121)与所述薄膜封装件(107)的直接邻接于所述第一中间层(121)的层相比具有更小的硬度。