[发明专利]用于保护EUV光学元件的设备

权利要求书

1.一种用于保护EUV光学元件的设备，包括：

具有内壁的室；

在所述室内的区域，当所述设备处于操作中时污染材料从所述区域发出；

被定位在所述内壁的一部分上的多个叶片，每个所述叶片具有沿着在所述叶片与所述区域之间的方向被定向的第一表面和与所述第一表面相邻的第二表面，所述第二表面被定向成使撞击所述第二表面的所述污染材料远离所述区域偏转，所述第二表面被确定尺寸并且相对于彼此被并列放置，使得所述第二表面基本上防止所述污染材料撞击所述内壁的所述一部分。

2.如权利要求1所述的设备，其中每个所述叶片由从由钼和不锈钢组成的组中选取的材料制成。

3.如权利要求1所述的设备，其中每个所述叶片被惰性材料覆盖。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述惰性材料是金。

5.如权利要求1所述的设备，其中每个所述叶片的至少一部分被网格覆盖。

6.如权利要求5所述的设备，其中所述网格由从由钼和不锈钢组成的组中选取的材料制成。

7.如权利要求5所述的设备，其中所述网格被惰性材料覆盖。

8.如权利要求7所述的设备，其中所述惰性材料是金。

9.如权利要求1所述的设备，其中每个所述叶片被加热。

10.如权利要求9所述的设备，其中每个所述叶片至少被加热至所述污染材料的熔点。

11.如权利要求9所述的设备，其中所述叶片包括电阻式元件，并且所述叶片通过将电流供应至所述电阻式元件而被加热。

12.如权利要求9所述的设备，其中所述叶片包括内部流体通道并且所述叶片通过使被加热的流体在所述内部流体通道中流动而被加热。

13.如权利要求1所述的设备，其中每个所述叶片的至少一部分被网格覆盖并且至少被加热至所述污染材料的熔点。

14.如权利要求13所述的设备，其中每个所述叶片与用于收集所述污染材料的容器流体连通并且所述网格被布置成将液体污染材料引导至所述容器。

15.一种用于通过从源材料生成等离子体而生成对半导体制造有用的光的设备，所述设备包括：

具有内壁的室；

在所述室内的区域，当所述设备处于操作中时源材料从所述区域发出；

被定位在所述内壁的一部分上的多个叶片，每个所述叶片具有沿着在所述叶片与所述区域之间的方向被定向的第一表面和与所述第一表面相邻的第二表面，所述第二表面被定向成使撞击所述第二表面的所述源材料远离所述区域偏转，所述第二表面被确定尺寸并且相对于彼此被并列放置，使得所述第二表面基本上防止所述源材料撞击所述内壁的所述一部分。

16.如权利要求15所述的设备，其中每个所述叶片由从由钼和不锈钢组成的组中选取的材料制成。

17.如权利要求15所述的设备，其中每个所述叶片被惰性材料覆盖。

18.如权利要求17所述的设备，其中所述惰性材料是金。

19.如权利要求15所述的设备，其中每个所述叶片的至少一部分被网格覆盖。

20.如权利要求19所述的设备，其中所述网格由从由钼和不锈钢组成的组中选取的材料制成。