[发明专利]银合金接合线及其制造方法在审
申请号: | 201480048613.0 | 申请日: | 2014-09-04 |
公开(公告)号: | CN105745339A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 金相烨;许永一;李钟哲;金承贤;文晶琸 | 申请(专利权)人: | MK电子株式会社 |
主分类号: | C22C5/06 | 分类号: | C22C5/06;H01L21/301 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 牛海军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合金 接合 及其 制造 方法 | ||
1.一种银合金接合线,所述银合金接合线含有银(Ag)作为主要组分并且含有钯(Pd)和金(Au),其中钯(Pd)含量是约0.1重量%至约4.0重量%,并且金(Au)与钯(Pd)的重量含量比是约0.25至约1.0。
2.根据权利要求1所述的银合金接合线,其中晶粒的孪晶间界是约2%至约10%。
3.根据权利要求1所述的银合金接合线,其中金(Au)与钯(Pd)的重量含量比是约0.4至约0.7。
4.根据权利要求3所述的银合金接合线,其中钯(Pd)含量是约1.5重量%至约3.5重量%。
5.根据权利要求1所述的银合金接合线,所述银合金接合线还包含一种或多种选自由下列各项组成的组的元素的组分作为性能控制组分:铱(Ir)、钛(Ti)、铂(Pt)、铍(Be)、钙(Ca)、镧(La)、钇(Y)、铈(Ce)、铋(Bi)、钴(Co)和镁(Mg),
其中所述性能控制组分的含量是约3wtppm至约5000wtppm。
6.根据权利要求5所述的银合金接合线,其中所述性能控制组分包括铂(Pt),并且铂(Pt)含量是约500wtppm至约5000wtppm。
7.根据权利要求5所述的银合金接合线,其中所述性能控制组分是铱(Ir)或钛(Ti)。
8.一种银合金接合线,所述银合金接合线含有银(Ag)作为主要组分并且含有钯(Pd)和金(Au),其中钯(Pd)含量是约0.1重量%至4.0重量%,并且晶粒的孪晶间界率是约2%至约10%。
9.根据权利要求8所述的银合金接合线,所述银合金接合线还包含一种或多种选自由下列各项组成的组的元素的组分作为性能控制组分:铱(Ir)、钛(Ti)、铂(Pt)、铍(Be)、钙(Ca)、镧(La)、钇(Y)、铈(Ce)、铋(Bi)、钴(Co)、镁(Mg),
其中所述性能控制组分的含量是约3wtppm至约5000wtppm。
10.一种用于制造银合金接合线的方法,所述方法包括:
制造含有银(Ag)作为主要组分并且含有钯(Pd)和金(Au)的合金片,其中钯(Pd)含量是约0.1至4.0重量%,并且金(Au)与钯(Pd)的重量含量比是约0.25至约1.0;和
对所述合金片进行拉伸和热处理,
其中所述对所述合金片进行拉伸和热处理包括:,对通过拉伸所述合金片得到的细线当细线直径范围为约0.5mm至约5mm时进行第一热处理,并且
其中所述第一热处理在约550℃至约700℃的温度下进行约0.5秒至约5秒。
11.根据权利要求10所述的方法,其中进行所述拉伸和所述热处理以使所述银合金接合线的晶粒的孪晶间界率范围为约2%至约10%。
12.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一热处理在约600℃至约650℃的温度下进行约2秒至约4秒。
13.根据权利要求10所述的方法,其中所述进行拉伸和热处理还包括:对通过拉伸所述合金片得到的细线当细线直径范围为约0.05mm至约0.4mm时进行第二热处理,并且
所述第二热处理在约550℃至约700℃的温度下进行约0.5秒至约5秒。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述第二热处理在约600℃至约650℃的温度下进行约2秒至约4秒。
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