[发明专利]具有共同围绕焊料黏结物以防止焊料散布的凹槽的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

对置的第一和第二金属板；

多个半导体元件，每个半导体元件介于所述第一金属板和所述第二金属板之间；

金属块，其介于所述第一金属板和每个所述半导体元件之间；

焊料构件，其介于所述第一金属板和所述金属块之间并且将所述第一金属板连接至所述金属块；以及

注塑树脂，其将所述半导体元件以及所述金属块密封在所述第一金属板和所述第二金属板之间，其中，

所述第一金属板的一面，其为所述金属块经由所述焊料构件连接至所述第一金属板的一面的对置侧，暴露于所述注塑树脂外，

所述第一金属板具有沿着其中设置有所述焊料构件的区域的外周形成的凹槽，所述凹槽共同围绕所述焊料构件，以及

没有凹槽沿所述多个半导体元件布置的预定方向形成在所述多个半导体元件之间的边界部分处。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述凹槽是形成为大致矩形形状的环形凹槽。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个半导体元件为两种类型的第一和第二半导体元件，它们在所述预定方向上并排布置在所述第一金属板和所述第二金属板之间，以及

在垂直于所述预定方向的垂直方向上所述第一金属板上的第一区域的宽度大致等于在所述垂直方向上所述第一金属板上的第二区域的宽度，与所述第一半导体元件处的所述金属块对应的所述焊料构件设置在所述第一区域中，与所述第二半导体元件处的所述金属块对应的所述焊料构件设置在所述第二区域中。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

在所述垂直方向上所述第一半导体元件的宽度大致等于在所述垂直方向上所述第二半导体元件的宽度。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

在所述垂直方向上所述第一半导体元件处的所述金属块的第一部分的宽度大致等于在所述垂直方向上所述第二半导体元件处的所述金属块的第二部分的宽度，至少所述对应的焊料构件设置在所述第一部分上，至少所述对应的焊料构件设置在所述第二部分上。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

在所述垂直方向上所述第一半导体元件的宽度不同于在所述垂直方向上所述第二半导体元件的宽度，并且在所述第一半导体元件处的所述金属块的形状不同于在所述第二半导体元件处的所述金属块的形状。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一半导体元件处的所述金属块的形状为大致矩形平行六面体形状，以及

当沿所述预定方向观看时，在所述第二半导体元件处的所述金属块的形状在截面上为梯形形状。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一金属板和所述第二金属板之间在所述预定方向上所述第一半导体元件和所述第二半导体元件彼此间隔开的距离至少大于在层压方向上所述金属块的宽度。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个半导体元件是：功率晶体管，所述功率晶体管构成功率转换器的臂元件；以及回流二极管，所述回流二极管并联连接所述功率晶体管。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个半导体元件是：功率晶体管，所述功率晶体管构成功率转换器的臂元件；以及回流二极管，所述回流二极管并联连接所述功率晶体管。