[发明专利]EPI预热环

权利要求书

1.一种用于半导体处理室中的环组件，包括：

环形主体，所述环形主体是环形物的至少一部分，所述环形物具有中央开口、内周边边缘及外周边边缘，所述环形主体包括：

第一部分，所述第一部分具有上表面及平行于所述上表面的底表面；及

第二部分，所述第二部分具有上表面及平行于所述第二部分的所述上表面的底表面，其中所述第二部分沿经过所述主体且通过所述中央开口的线与所述第一部分连接并形成一角度，所述角度在1度与15度之间。

2.如权利要求1所述的环组件，其中所述第二部分与所述第一部分对称。

3.如权利要求1所述的环组件，其中所述第二部分相对于所述第一部分的上表面向下倾斜。

4.如权利要求1所述的环组件，其中所述角度为2度至6度。

5.一种用于处理基板的处理室，包括：

室主体，所述室主体界定内部处理区域；

基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述室主体内，所述基板支撑件具有基板支撑表面；及

环形主体，所述环形主体是环形物的至少一部分，所述环形物具有中央开口，所述环形主体安置于设置于所述室主体内的环支撑件上，所述环形主体包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分具有上表面及平行于所述上表面的底表面，所述第二部分具有上表面及平行于所述第二部分的所述上表面的底表面，所述第一部分沿经过所述主体且通过所述中央开口的线与所述第二部分连接并形成一角度，所述角度在1度与15度之间。

6.如权利要求5所述的处理室，其中所述环形主体被调整大小而以一间隙围绕所述基板支撑件的周边设置。

7.如权利要求6所述的处理室，其中所述第二部分相对于所述基板支撑表面以所述角度向下倾斜。

8.如权利要求7所述的处理室，其中所述角度在2度与6度之间。

9.如权利要求7所述的处理室，其中所述第二部分与所述第一部分实质对称。

10.如权利要求7所述的处理室，其中所述第一部分安置成邻近所述室主体的气体注射侧。

11.如权利要求6所述的处理室，其中所述间隙在0.1mm与0.8mm之间。

12.如权利要求7所述的处理室，其中所述第二部分安置成邻近所述室主体的气体排放侧。

13.一种用于处理基板的处理室，包括：

能旋转的基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述处理室内，所述基板支撑件具有基板支撑表面；

下拱形结构，所述下拱形结构设置于所述基板支撑件的相对下方；

上拱形结构，所述上拱形结构设置于所述基板支撑件的相对上方，所述上拱形结构与所述下拱形结构相对；

环主体，所述环主体围绕所述基板支撑件的周边设置于所述上拱形结构与所述下拱形结构之间，其中所述上拱形结构、所述环主体、及所述下拱形结构界定所述处理室的内部容积，所述环主体具有一个或更多个气体注射，所述气体注射以至少一个线性群组排列且能操作以提供覆盖所述基板的直径的气体流动；及

环形主体，所述环形主体是环形物的至少一部分，所述环形物具有中央开口，所述环形主体安置于设置于所述环主体内的环支撑件上，所述环形主体包括第一部分和第二部分，所述第一部分被设置成邻近所述处理室的气体注射，所述第二部分被设置成邻近所述处理室的气体排放，其中所述第一部分具有上表面及平行于所述上表面的底表面，所述第二部分具有上表面及平行于所述第二部分的所述上表面的底表面，所述第一部分沿经过所述环形主体且通过所述中央开口的线与所述第二部分连接并形成一角度，所述角度在1度与15度之间。

14.如权利要求13所述的处理室，其中所述第二部分相对于所述基板支撑表面以所述角度向下倾斜。

15.如权利要求14所述的处理室，其中所述角度在2度与6度之间。