[发明专利]用于通过电绝缘的绝缘沟槽在薄层太阳能模块中制造子太阳能模块的方法以及用于制造具有这种类型的绝缘沟槽的薄层太阳能模块的方法有效
申请号: | 201480048042.0 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN105917473B | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 拉尔夫·洪格尔;斯特凡·马沙尔;帕特里克·蒙德;安德烈亚斯·卡恩 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人: | 郑建晖,潘飞 |
地址: | 100176 北京市经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 通过 绝缘 沟槽 薄层 太阳能 模块 制造 方法 以及 具有 这种 类型 | ||
1.一种用于通过电绝缘的绝缘沟槽在薄层太阳能模块中制造子太阳能模块的方法,所述薄层太阳能模块由一体式彼此互连的薄层太阳能电池来构建,所述方法具有以下步骤:
-提供具有激光波长的激光,
-提供具有第一侧和第二侧的基底(1),所述基底对于所述激光波长来说是透明的,其中,所述基底(1)的第一侧具有多个一体式互连的薄层太阳能电池,所述薄层太阳能电池由金属的背电极薄层(2)、布置在所述金属的背电极薄层(2)上的吸收薄层(3)和布置在所述吸收薄层上的前电极结构(4)来构建,
-将激光射束(L)射入到所述基底上,
-使所述激光射束(L)沿着至少一条切割线(S)在所述基底(1)上运动和/或使所述基底(1)相对于所述激光射束(L)运动,用以借助激光射束(L)与基底(1)之间的相对运动产生至少一个绝缘沟槽(I1、I2、I3、I4),
其特征在于,
将所述激光射束(L)射入到所述基底(1)的第二侧上、穿过所述基底(1)落到所述金属的背电极薄层(2)上,并且所述激光射束以在皮秒或飞秒范围内的激光脉冲以如下方式调节并且所述激光射束(L)与基底(1)之间的相对运动以如下方式实施,即,连同所述金属的背电极薄层(2)一起将布置在所述金属的背电极薄层上的吸收薄层(3)和布置在所述吸收薄层上的前电极结构(4)沿着所述切割线(S)从所述基底(1)烧蚀掉。
2.根据权利要求1所述的用于制造子太阳能模块的方法,其特征在于,所述激光波长在接近红外线范围内或可见光的频谱范围内来选择。
3.根据权利要求1或2所述的用于制造子太阳能模块的方法,其特征在于,使用具有在33.3kHz至400kHz范围内的脉冲频率的脉冲式激光。
4.根据权利要求3所述的用于制造子太阳能模块的方法,其特征在于,所述激光射束(L)被运动,从而确保沿着所述切割线(S)相继跟随的激光脉冲的10%至95%在空间上重叠。
5.根据权利要求3所述的用于制造子太阳能模块的方法,其特征在于,每激光脉冲的脉冲能量在5μJ至125μJ的范围内来选择。
6.根据权利要求1或2所述的用于制造子太阳能模块的方法,其特征在于,所述基底(1)构造为玻璃基底并且在背电极薄层(2)与玻璃基底之间具有阻挡薄层(1a),其中,所述激光射束(L)以如下方式调节并且所述激光射束(L)与基底(1)之间的相对运动以如下方式实施,即,沿着所述切割线(S)在所述基底上保留被激光影响过的阻挡薄层(1a)。
7.根据权利要求1或2所述的用于制造子太阳能模块的方法,其特征在于,所述吸收薄层(3)构造为三元的或四元的半导体。
8.根据权利要求1或2所述的用于制造子太阳能模块的方法,其特征在于,所述基底(1)呈矩形地构造有第一棱边长度和第二棱边长度,上棱边和下棱边,其中,平行于所述上棱边和平行于所述下棱边地、以所述第一棱边长度或所述第二棱边长度的10%至15%的量间隔开地制造出第一绝缘沟槽(I1)和第二绝缘沟槽(I2)。
9.根据权利要求8所述的用于制造子太阳能模块的方法,其特征在于,平行于所述第一绝缘沟槽和第二绝缘沟槽(I1、I2)地在所述第一绝缘沟槽与所述第二绝缘沟槽(I1、I2)之间居中地制造出一个另外的绝缘沟槽(I3)。
10.根据权利要求8所述的用于制造子太阳能模块的方法,其特征在于,平行于所述第一绝缘沟槽和第二绝缘沟槽(I1、I2)地在所述第一绝缘沟槽与所述第二绝缘沟槽(I1、I2)之间以如下方式制造出两个另外的绝缘沟槽(I3、I4),即,使得所述两个另外的绝缘沟槽(I3、I4)之间的间距与所述第一绝缘沟槽和所述第二绝缘沟槽(I1、I2)相对各自相邻的另外的绝缘沟槽之间的间距大小相同。
11.根据权利要求1或2所述的用于制造子太阳能模块的方法,其特征在于,绝缘沟槽(I1、I2、I3、I4)由多个相邻的切割线(S)的平行重叠布置来形成。
12.根据权利要求4所述的用于制造子太阳能模块的方法,其特征在于,所述激光射束(L)被运动,从而确保沿着所述切割线(S)相继跟随的激光脉冲的15%至30%在空间上重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的