[发明专利]用于横向裁剪硬掩模的方法

权利要求书

1.一种用于在基片上蚀刻部件的方法，所述方法包括：

将基片布置在等离子体处理系统中的基片保持器上，所述基片具有图案化硬掩模，所述图案化硬掩模具有限定使下面的基片暴露的开口的部件，所述图案化硬掩模的所述部件具有大于目标部件的预定特定关键尺寸的关键尺寸(CD)；

使蚀刻工艺气体流入所述等离子体处理系统中，所述蚀刻工艺气体包括含氟气体；

使钝化工艺气体流入所述等离子体处理系统中，所述钝化工艺气体包含碳氟化合物；

由所述蚀刻工艺气体和所述钝化工艺气体形成等离子体，以使得所述基片暴露于所述等离子体；以及

通过控制蚀刻工艺气体与钝化工艺气体的比例，以及通过控制所述等离子体处理系统中的电极偏压，使用所述等离子体的产物来横向蚀刻所述图案化硬掩模的所述部件的侧壁；

其中，横向蚀刻所述图案化硬掩模的所述部件的侧壁包括竖直蚀刻所述图案化硬掩模的所述部件的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下面的基片是硅基片，并且其中，所述钝化工艺气体包括选自N2和H2的双原子分子气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，控制蚀刻工艺气体与钝化工艺气体的比例包括将所述比例保持在0.10至10.0之间。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，控制蚀刻工艺气体与钝化工艺气体的比例包括将所述比例保持在2.5至5.0之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，控制电极偏压包括控制电极偏压，以使得来自所述等离子体的产物存在各向同性运动。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，控制电极偏压包括使来自所述等离子体的产物的第一部分各向异性地撞击所述基片、以及来自所述等离子体的产物的剩余部分各向同性地撞击所述基片。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，控制电极偏压包括保持完全各向同性的等离子体产物暴露于所述基片。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述基片保持器上布置所述基片包括具有两个或更多层的图案化硬掩模。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述图案化硬掩模的所述两个或更多层包括硅氧化物和硅氮化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述基片保持器上布置所述基片包括选自介电材料的图案化硬掩模。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述基片保持器上布置所述基片包括作为选自硅氮化物和硅氧化物的材料的图案化硬掩模。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述蚀刻工艺气体流入包括使选自SF6、NF3、CF4、和XeF2的气体流入。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述钝化工艺气体流入包括使选自CH2F2、CF4、CHF3、CH3F、C2F4、C4F8、C4F6、C5HF7、以及C5F8的气体流入。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括使稀释剂工艺气体流入所述等离子体处理系统中。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，使所述稀释剂工艺气体流入包括使N2、氩、和氦流入。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，横向蚀刻侧壁包括横向蚀刻预定量，以使得所述图案化硬掩模上的所述部件的关键尺寸被减小至所述部件的预定特定关键尺寸之内。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，横向蚀刻侧壁包括将部件厚度减小0.3纳米至30纳米。