[发明专利]集成CMOS/MEMS麦克风裸片在审
申请号: | 201480047541.8 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN105493521A | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
发明(设计)人: | P·V·洛佩特;李晟馥 | 申请(专利权)人: | 美商楼氏电子有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 cmos mems 麦克风 | ||
1.一种用于CMOSMEMS电容式麦克风裸片的膜片,该膜片包括:
第一大致平面金属层,该第一大致平面金属层具有顶面和底面;
第二大致平面金属层,该第二大致平面金属层与所述第一层尺寸和形状大致相 同,具有顶面和底面,并且与所述第一层平行且与所述第一层大致竖直对齐地定位; 以及
在所述第一层与所述第二层之间的第一多个过孔,所述过孔附接到所述第一层的 所述顶面和所述第二层的所述底面。
2.根据权利要求1所述的膜片,其中:
所述第一层从一边到一另边大致为固体;并且
所述第二层具有在所述顶面与所述底面之间的多个开口。
3.根据权利要求1所述的膜片,其中:
沿着所述第一层的所述周边的一部分限定所述第一层的第一边缘;
沿着所述第二层的所述周边的一部分限定所述第二层的第一边缘;
所述第二层的所述第一边缘与所述第一层的所述第一边缘尺寸与形状大致相同; 并且
除了所述第一层的所述第一边缘相对于所述第一层的所述几何水平中心水平地 延伸超出所述第二层的所述第一边缘之外,所述第二层的所述第一边缘与所述第一层 的所述第一边缘大致竖直对齐。
4.根据权利要求1所述的膜片,其中:
沿着所述第一层的所述周边的一部分限定所述第一层的第二边缘,所述第一层的 所述第二边缘是与所述第一层的所述第一边缘不同的部分;
沿着所述第二层的所述周边的一部分限定所述第二层的第二边缘,所述第二层的 所述第二边缘是与所述第二层的所述第一边缘不同的部分;
所述第二层的所述第二边缘与所述第一层的所述第二边缘尺寸和形状大约相同; 并且
除了所述第二层的所述第二边缘相对于所述第一层的所述几何水平中心水平地 延伸超出所述第一层的所述第二边缘之外,所述第二层的所述第二边缘与所述第一层 的所述第二边缘大致竖直对齐。
5.根据权利要求3所述的膜片,所述膜片还包括:
第二多个过孔,该第二多个过孔在所述第一层的所述第一边缘延伸超出所述第二 层的所述第一边缘的位置处沿着所述第一层的所述第一边缘从所述第一层向上延伸。
6.根据权利要求4所述的膜片,所述膜片还包括:
第三多个过孔,该第三多个过孔在所述第二层的所述第二边缘延伸超出所述第一 层的所述第二边缘的位置处沿着所述第二层的所述第二边缘从所述第二层向下延伸。
7.一种CMOSMEMS电容式麦克风裸片,该CMOSMEMS电容式麦克风裸片 包括:
膜片,该膜片包括两个金属层,各个所述金属层彼此平行且彼此大致竖直对齐, 具有在所述两个金属层之间的金属间层,并且具有在所述两个金属层之间的多个过 孔;
支撑结构,该支撑结构包括多个金属层,各个所述金属层彼此平行且彼此大致竖 直对齐,具有在所述多个金属层之间的多个金属间层,具有在所述金属层之间的第一 多个过孔,并且具有从所述支撑结构的顶部延伸到底部的开口中心部;
弹簧,该弹簧包括两个金属层,各个所述金属层彼此平行且彼此大致竖直对齐, 具有在所述两个金属层之间的金属间层,并且具有在所述两个金属层之间的多个过 孔;
背板,该背板包括两个金属层,各个所述金属层彼此平行且彼此大致竖直对齐, 具有在所述两个金属层之间的金属间层,并且具有在所述两个金属层之间的多个过 孔;
其中:
所述膜片和所述背板设置在所述支撑结构的所述开口内;
在所述弹簧的第一端的所述两个金属层在所述膜片的边缘处连接到所述两个金 属层,并且所述弹簧的第二端上的所述两个金属层在所述支撑物结构的边缘处连接到 两个相邻的金属层;并且
所述背板的所述两个金属层连接到所述支撑结构的另外两个相邻的金属层。
8.根据权利要求7所述的CMOSMEMS电容式麦克风裸片,其中:
所述膜片的所述金属层中的一个金属层包括顶面和底面,在所述顶面与所述底面 之间有多个开口。
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