[发明专利]半导体晶片的研磨方法及研磨装置

权利要求书

1.一种半导体晶片的研磨方法，其特征在于，

具备研磨工序、浸泡工序、捞起工序、测量工序和研磨条件设定工序，

在前述研磨工序中研磨半导体晶片，

在前述浸泡工序中，将研磨后的前述半导体晶片浸泡于有机酸水溶液，

在前述捞起工序中，在前述浸泡工序中的浸泡时间经过60分钟之前，将前述半导体晶片从前述有机酸水溶液捞起，

在前述测量工序中，在研磨后的前述半导体晶片的研磨面变成亲水面之前，测量前述半导体晶片的形状，

在前述研磨条件设定工序中，基于前述半导体晶片的形状的测量结果，设定前述研磨工序中的研磨条件。

2.如权利要求1所述的半导体晶片的研磨方法，其特征在于，

在前述捞起工序中，将前述半导体晶片以100mm/sec以下的速度捞起。

3.如权利要求1所述的半导体晶片的研磨方法，其特征在于，

在前述捞起工序中，维持前述半导体晶片的研磨面与水平面大致正交的姿势，同时将前述半导体晶片捞起。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体晶片的研磨方法，其特征在于，

在前述测量工序中使用光学传感器或静电电容传感器来测量前述半导体晶片的形状。

5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体晶片的研磨方法，其特征在于，

被用于前述有机酸水溶液的有机酸是柠檬酸、甲酸、乙酸、丁酸、草酸、丙二酸及丁二酸中的至少任意一种。

6.如权利要求4所述的半导体晶片的研磨方法，其特征在于，

被用于前述有机酸水溶液的有机酸是柠檬酸、甲酸、乙酸、丁酸、草酸、丙二酸及丁二酸中的至少任意一种。