[发明专利]存储器管理有效
申请号: | 201480047324.9 | 申请日: | 2014-09-18 |
公开(公告)号: | CN105474183B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | R.J.小罗伊尔 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G06F12/06 | 分类号: | G06F12/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;张涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 管理 | ||
描述了用来管理存储器操作的设备、系统和方法。在一个实施例中,电子装置包括:处理器和存储器控制逻辑,用以从存储器装置检索全局序列号,接收对于存储在存储器装置中的逻辑块地址中的数据的读取请求,从存储器装置中的逻辑块地址检索介质序列号,以及当介质序列号比全局序列号旧时返回空值响应代替存储在逻辑块地址中的数据。也公开和要求保护其它实施例。
技术领域
本公开内容一般涉及电子设备的领域。更特别地,本发明的一些实施例一般涉及电子装置中的存储器管理。
背景技术
许多电子装置包括存储器系统可以使用本地、快速存取的存储器来实现,所述存储器常常体现为易失性存储器,例如动态随机存取存储器(DRAM)等等。当在电子装置中电力被重置时,它引起装置中的易失性存储器被重置,通常重置至零。因此,在假定本地、快速存取的存储器在电力重置操作期间将被重置至零的情况下,装置操作系统通常被写入。
附图说明
参考附图提供详细描述。在不同图中的相同的参考数字的使用指示类似或同样的项目。
图1是根据本文中讨论的各种实施例的用来实现存储器管理的设备的部件的示意性框图图示。
图2和4是根据本文中讨论的各种实施例图示在用来管理存储器的方法中的操作的流程图。
图3是根据本文中讨论的各种实施例的可以用来实现存储器管理的元数据表的示意图。
图5A和5B是根据本文中讨论的各种实施例的可以用在实现存储器等待时间管理的方法中的操作中的序列号的示意图示。
图6-10是根据本文中讨论的各种实施例的可以适于实现存储器等待时间管理的电子装置的示意性框图图示。
具体实施方式
在下面的描述中,陈述了许多特定细节,以便提供对各种实施例的透彻理解。然而,可以在没有特定细节的情况下实践本发明的各种实施例。在其它实例中,公知的方法、规程、部件和电路还没有被详细描述,以致不使本发明的特别的实施例晦涩难懂。此外,本发明的实施例的各种方面可以使用各种构件(诸如集成半导体电路(“硬件”),组成一个或多个程序的计算机可读指令(“软件”),或硬件和软件的某个组合)来执行。为了该公开的目的,对“逻辑”的提及将意味着硬件、软件或其某个组合。
非易失性存储器系统正被开发以在足够快的速度下操作,以便用作本地存取易失性存储器系统。不像易失性存储器,非易失性存储器将不会在电力重置期间自动重置至零。因此,用来管理本地存取易失性存储器的技术例如在用于电子装置的存储器系统中可以在快速调零方法中找到效用。
图1是根据本文中讨论的各种实施例的用来实现存储器管理的设备的部件的示意性框图图示。参考图1,在一些实施例中,中央处理单元(CPU)封装100可以包括:一个或多个CPU 110,耦合至控制集线器120;和本地存储器130。控制集线器120包括存储器控制器122和存储器接口124。
存储器接口124通过通信总线160耦合至一个或多个远程存储器装置140。存储器装置140可以包括控制器142和一个或多个存储体150。在各种实施例中,存储体150的至少一些可以使用非易失性存储器来实现,所述非易失性存储器例如是相变存储器、NAND(闪速)存储器、铁电随机存取存储器(FeTRAM)、基于纳米线的非易失性存储器、包含忆阻器技术的存储器、静态随机存取存储器(SRAM)、三维(3D)交叉点存储器诸如相变存储器(PCM)、自旋转移力矩存储器(STT-RAM)或NAND存储器。作为示例,在一些实施例中,(一个或多个)存储器装置140可以包括耦合至存储器通道144的一个或多个直接列式存储器模块(DIMM),所述存储器通道144提供至控制器142的通信链路。在(一个或多个)存储器装置140中的(一个或多个)存储体150的特定配置不是关键的。
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