[发明专利]炔基二苯乙炔、包含其的液晶混合物和用于高频技术的组件

说明书

本发明涉及式I的化合物其中参数各个具有在说明书中给出的含义，涉及其用于高频组件的用途，涉及包含所述化合物的液晶介质，并涉及包含这些介质的高频组件，特别是天线，尤其是用于千兆赫范围。液晶介质例如用于可调谐的“相控阵”天线的微波的相移。

本发明涉及炔基二苯乙炔(alkynyltolan)，包含这些化合物的液晶介质，其用于高频组件的用途，和包含这些介质的高频组件，特别是天线和移相器，尤其是用于千兆赫兹和太赫兹范围。液晶介质例如用于可调谐的“相控阵”天线的微波的相位移。

长期以来已经将液晶介质用于电光显示器(液晶显示器-LCD)中以显示信息。

然而，最近已经不断提出将液晶介质用于高频技术、特别是微波技术的组件中，如例如在DE 10 2004 029 429 A和在JP 2005-120208(A)中所述的。

在高频技术中液晶介质在工业上有价值的应用是基于它们的介电性能可以通过可变电压控制的性质，特别是对于千兆赫兹区域。因此可以涉及不含移动组件的可调谐天线(A.Gaebler,A.Moessinger,F.Goelden等，Liquid Crystal-Reconfigurable AntennaConcepts for Space Applications at Microwave and Millimeter Waves”,International Journal of Anntenae and Propagation,Vol.2009,Article ID 876989,7页,2009.doi:10.1155/2009/876989)。

A.Penirschke,S.Müller,P.Scheele,C.Weil,M.Wittek,C.Hock和R.Jakoby:Cavity Perturbation Method for Characterisation of Liquid Crystals up to35GHz，34^th欧洲微波会议–阿姆斯特丹，第545–548页，尤其描述了已知的液晶单个物质K15(Merck KGaA，德国)在9GHz频率下的性质。

DE 10 2004 029 429 A(参见上文)描述了常用液晶介质在微波技术、尤其是在移相器中的用途。其中已经研究了液晶介质在相应频率范围内的性质。

在说明书JP 05-255151 A和WO 2009/125721 A1中公开了在以线性方式排列的4个苯环的链内含有C-C三键的化合物。来自JP 05-255151 A的一些化合物具有氟取代基，并用作液晶介质的组分。在第二个说明书中所公开的化合物仅仅在分子的端部被取代，并作为薄膜晶体管的构成。

具有非常高光学各向异性和明显正值的介电各向异性的液晶化合物迄今是罕见的。这种类型的化合物是某些含有极性端基的双二苯乙炔(bistolan)，如例如在出版物Shin-Tson Wu等，Jpn.J.Appl.Phys.1999,38,286-288,Shin-Tson Wu等Jpn.J.Appl.Phys.2000,39,38-41，JP 10-45642 A和DE10120024中所公开的。

然而，迄今已知的组合物或单个化合物通常都受到缺点的困扰。除了其它缺陷之外，大部分缺陷会导致不利地高的损失和/或不足的相位移或者不足的材料品质。例如一些单个化合物不具有有利的液晶相并具有非常高的熔点，而其它物质则缺乏足够高的Δn和Δε值。

为了在高频技术中使用，要求液晶介质具有特别地迄今相对不寻常的、非常规的性质或者性质的结合。

因此，具有改善的性质的新型液晶介质的组分是必需的。尤其是，必须减少在微波区域的损失以及必须改进材料品质(η)。此外，天线技术应用在某些情况下在强烈变化的外部边界条件下(例如温度变化大)下发生。特别是，有必要改进组分的低温行为。

因此，迫切需要具有适用于相应实际应用的性质的液晶介质。

下式的化合物