[发明专利]热电模块及包含该热电模块的热转换装置有效
| 申请号： | 201480046526.1 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105474418B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 赵容祥;金相坤;金淑贤;金彩薰;卢名来;申钟培;元冨云;李钟旼 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;许向彤 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热电 模块 包含 转换 装置 | ||
1.一种热电模块，包括：
被配置为彼此面对的第一基板和第二基板；
设置在所述第一基板上的第一电极层和设置在所述第二基板上的第二电极层；
设置在所述第一基板和所述第一电极层之间的第一介电层和设置在所述第二基板和所述第二电极层之间的第二介电层；
至少一个单元胞，所述至少一个单元胞包括第一半导体元件和第二半导体元件，所述第一半导体元件和所述第二半导体元件相互电连接并插入在所述第一基板与所述第二基板之间，
其中，所述第一基板和所述第二基板的体积彼此不同，
其中，所述第二基板的面积大于所述第一基板的面积，
其中，所述第一基板的厚度小于所述第二基板的厚度，
其中，所述第二基板是散热区域，
其中，所述第一基板和所述第二基板为金属基板，
其中，凹凸图案形成在所述第二基板的表面上，
其中，所述第二基板的所述表面设置为朝向所述第一半导体元件和所述第二半导体元件。
2.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述第一介电层和所述第二介电层的热导率为5-10W/mK。
3.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述第一半导体元件的体积不同于所述第二半导体元件的体积。
4.根据权利要求3所述的热电模块，其中，所述第一半导体元件为N型半导体元件，所述第二半导体元件为P型半导体元件，
其中，所述第一半导体元件的体积大于所述第二半导体元件的体积。
5.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述第一基板和所述第二基板至少包括Cu、Cu合金和Cu-Al合金之一。
6.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述第一介电层和所述第二介电层的厚度为0.01mm至0.1mm。
7.一种热转换装置，包括：
热电模块，其中，所述热电模块包括：
被配置为彼此面对的第一基板和第二基板；
设置在所述第一基板上的第一电极层和设置在所述第二基板上的第二电极层；
设置在所述第一基板和所述第一电极层之间的第一介电层和设置在所述第二基板和所述第二电极层之间的第二介电层；
至少一个单元胞，所述至少一个单元胞包括第一半导体元件和第二半导体元件，所述第一半导体元件和所述第二半导体元件相互电连接并插入在所述第一基板与所述第二基板之间，
其中，所述第一基板和所述第二基板的体积彼此不同，
其中，所述第二基板的面积大于所述第一基板的面积，
其中，所述第一基板的厚度小于所述第二基板的厚度，
其中，所述第二基板是散热区域，
其中，所述第一基板和所述第二基板为金属基板，
其中，凹凸图案形成在所述第二基板的表面上，
其中，所述第二基板的所述表面设置为朝向所述第一半导体元件和所述第二半导体元件。
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