[发明专利]利用半导体发光器件的显示装置

说明书

技术领域

本公开涉及显示装置，并且更具体地说，涉及利用半导体发光器件的显示装置。

背景技术

近年来，在显示技术领域已经开发出具有诸如低型面、柔韧性等的卓越特征的显示装置。与此相反，目前商业化的主要显示器代表有液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。

然而，对于LCD的情况来说，存在诸如响应时间不够快、柔韧性难以实现的问题，而对于AMOLED的情况来说，存在诸如使用期限短、产量不够好以及柔韧性低的缺点。

另一方面，发光二极管(LED)是用于将电流转换成光的公知发光器件，并且因为利用GaAsP化合物半导体的红LED在1962就与GaP：N基绿LED一起在商业上可获，所以已经被用作用于在包括信息通信装置的电子装置中显示图像的光源。因此，半导体发光器件可以被用于实现柔性显示器，由此，提出用于解决这些问题的方案。

发明内容

技术问题

本公开的一个方面是，提供一种不同于现有技术的、具有柔性的新类型显示装置。

本公开的另一方面是，提供一种具有长寿命、低功耗、高效率以及快速响应时间的显示装置。

问题的解决方案

根据本公开一实施方式的显示装置可以包括：下基板，该下基板在其上部设置有线电极；多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件电连接至所述线电极以生成光并且被设置成彼此分离；以及导电粘合层，该导电粘合层包括被设置成将所述下基板的位置固定至所述半导体发光器件的位置的基体，和分散在所述基体内以将所述下基板电连接至所述半导体发光器件的导体，其中，所述多个半导体发光器件形成具有分别发射红光、绿光以及蓝光的红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件以及蓝色半导体发光器件的一个像素区(P)，并且包含从无机半导体材料中选择的材料，并且所述导电粘合层阻挡从所述多个半导体发光器件生成的光。

这里，所述半导体发光器件可以包括：第一导电半导体层、定位在所述第一导电半导体层上有源层，以及定位在所述有源层上的第二导电半导体层。

而且，所述第一电极和所述第二电极可以与所述导体的至少一部分接触。

另一方面，所述半导体层的所述基体可以被设置成包围所述半导体发光器件的侧表面和下表面。

而且，所述导电粘合层的所述基体可以包含吸收光的材料。

而且，所述导电粘合层的所述基体可以具有迁移性并且在常温、高温以及催化气氛中的任一者下固化。

另一方面，所述红色半导体发光器件可以具有组成式(Al_XGa_1-X)_0.5In_0.5P和GaAsP。

而且，所述绿色半导体发光器件可以具有组成式GaP。

另外，所述蓝色半导体发光器件可以具有组成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。

本发明的有利效果

根据具有前述构造的本公开，发光器件之间的距离可以足够大并且导电粘合层可以具有柔软性，由此，实现可卷拢显示装置。

根据一实施方式，无机半导体发光器件可以设置在像素区中，由此，具有能够实现具有快速响应时间的高速屏幕的优点。

而且，根据一实施方式，可以不需要附加黑底，由此，具有卓越亮度和卓越效率的优点。

而且，所述半导体发光器件可以是无机材料，由此，具有长寿命的优点。

而且，根据一实施方式，所述半导体发光器件可以设置在像素单元中，由此，具有容易以有源型来实现的优点。

而且，第一和第二电极可以定位在生成光的所述有源层的下部区域处，由此，防止光被吸收至所述第一电极和所述第二电极。

而且，所述粘合部分可以阻挡从所述半导体发光器件生成的光，由此，抑制所述像素区与子像素区之间的光学干涉。

而且，可以省略用于实现颜色的滤色器，由此，具有能够制造低型面显示装置的优点。

附图说明

图1是根据本公开一实施方式的、利用半导体发光器件的显示装置的概念图；

图2是图1中的部分“A”的局部放大图，而图3A和3B是沿图2中的线B-B和C-C截取的截面图；

图4是例示图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念图；

图5A到5C是例示用于结合倒装芯片型半导体发光器件来实现颜色的各种形式的概念图；