[发明专利]废气净化方法及用于该方法的装置有效
申请号: | 201480045699.1 | 申请日: | 2014-08-12 |
公开(公告)号: | CN105473210A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 金吉浩;李元翼;安贵龙;金宝经 | 申请(专利权)人: | 韩化石油化学株式会社 |
主分类号: | B01D53/86 | 分类号: | B01D53/86;B01D53/68;B01D53/74 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;严彩霞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 废气 净化 方法 用于 装置 | ||
1.一种废气净化方法,其包含:
制备碳载体,其上负载过渡金属催化剂;以及
将含有氯化氢(HCl)、氢气(H2)及氯硅烷化合物的废气通过所述碳载体,以去除氯化氢。
2.如权利要求1所述的废气净化方法,其中所述过渡金属是选自铂、钯、钌、镍、铱、铑及其化合物中的至少一种。
3.如权利要求1所述的废气净化方法,其中所述碳载体选自活性碳、碳纳米管、碳纳米带、碳纳米线、多孔碳、碳粉及碳黑。
4.如权利要求1所述的废气净化方法,其中,基于所述碳载体的总重量,以0.01至20重量%的含量负载所述过渡金属催化剂。
5.如权利要求1所述的废气净化方法,其中所述废气是通过化学气相沉积进行多晶硅的沉积工艺后排出的气体。
6.如权利要求1所述的废气净化方法,其中,基于全部废气,所述废气包含50摩尔%或更多的氢气。
7.如权利要求1所述的废气净化方法,其中所述氯硅烷化合物包括二氯硅烷(SiH2Cl2)、三氯硅烷(SiHCl3)和四氯化硅(SiCl4)。
8.如权利要求1所述的废气净化方法,其中,与通过所述碳载体之前的废气相比较,基于摩尔数,在已通过所述碳载体的废气中的氯化氢的含量降低80%或更多。
9.如权利要求1所述的废气净化方法,其中将所述废气通过负载有过渡金属催化剂的碳载体的步骤在20至500℃和1至30巴的压力的条件下进行。
10.如权利要求1所述的废气净化方法,其中,当所述废气通过负载有过渡金属催化剂的碳载体时,氯化氢被转化为三氯硅烷和四氯化硅。
11.如权利要求1所述的废气净化方法,还包含从已通过所述碳载体的废气中分离氢气和氯硅烷化合物。
12.如权利要求11所述的废气净化方法,其中所述从已通过碳载体的废气中分离氢气和氯硅烷化合物的步骤是通过分离膜方法、蒸馏方法、气液分离方法或其组合来进行。
13.一种用于废气净化的装置,其包含:
催化反应器,其包含负载有过渡金属催化剂的碳载体,并通过含有氯化氢(HCl)、氢气(H2)及氯硅烷化合物的废气,以去除氯化氢;以及
分离器,用以将氢气及氯硅烷化合物从已通过所述催化反应器的废气中分离出来。
14.如权利要求13所述的用于废气净化的装置,其中所述分离器包括选自蒸馏装置、分离膜装置及气液分离装置中的至少一种。
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