[发明专利]蓄电池装置

说明书

本发明的实施方式涉及能够响应大电力供给的需求并较高地确保信赖性的蓄电池装置。实施方式的蓄电池装置具备电池群、充放电控制FET部和驱动控制部。电池群具备串联连接着的多个电池单元。充放电控制FET部连接在电池群的低电位侧，具有至少一组将源极端子或者漏极端子背对背连接着的一对N沟道MOSFET。驱动控制部，对构成充放电控制FET部的各个N沟道MOSFET的栅极端子，输出以源极端子的电位电平为基准而生成的驱动控制信号。

本申请基于并主张日本专利申请2013-166758(申请日：2013年8月9日)的优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及蓄电池装置。

背景技术

以往，在将作为蓄电池的锂离子电池(LIB)应用于产业设备或车载用设备时，1个单元中电压较低。

因此，必须将单元相连为多个直列而形成组电池。

此外，为了响应大电力供给的需求，在将组电池利用于驱动电源或者辅助电源的系统中，以高性能化以及可使用时间的长时间化为目的，高容量化的希望逐渐提高。

作为对此的方法，采用将许多电池串联连接而构成电池群、并将该电池群并联连接从而构成组电池的组电池装置。该情况下，有为了使电池的操作容易而将多个电池并联及串联连接、构成模块化了的蓄电池装置的情况。

然而，采用将组电池系统用多个模块化了的蓄电池装置构成、在构成各蓄电装置的电池群的低电位侧设置将漏极背对背(back-to-back)连接(共通连接)的N沟道MOSFET(放电控制用N沟道MOSFET以及充电控制用N沟道MOSFET)来进行放电控制以及充电控制的结构，将构成多个模块化了的蓄电池装置的电池群串联连接来使用的情况下，会发生以下那样的问题。

例如，若将放电时进行放电控制的放电控制用N沟道MOSFET设为截止状态而进行了切断，则由于反电动势，经由充电控制用N沟道MOSFET的源极端子、源极端子－栅极端子间设置的该充电控制用N沟道MOSFET的动作稳定化用的电阻，在进行该充电控制用N沟道MOSFET的驱动的FET栅极驱动器的输出端子上施加反向电压，有可能引起该FET栅极驱动器的电路破坏。

此外，若将充电时进行充电控制的充电控制用N沟道MOSFET设为截止状态而进行了切断，则可能会产生由反电动势带来的过电压而引起MOSFET控制电路的破坏。

发明内容

本发明要解决的课题是提供一种能够响应大电力供给的需求并且较高地确保可靠性的蓄电池装置。技术方案的蓄电池装置，具备：电池群、充放电控制FET部、驱动控制部。电池群具有被串联连接着的多个电池单元。充放电控制FET部，连接在电池群的低电位侧，具有至少一组将源极端子背对背连接着的一对N沟道MOSFET。驱动控制部，对构成充放电控制FET部的各个N沟道MOSFET的栅极端子，输出以源极端子的电位电平为基准而生成的驱动控制信号。

根据上述构成的蓄电池装置，能够响应大电力供给的需求并且较高地确保可靠性。

附图说明

图1是实施方式的组电池系统的充电状态下的概要结构框图。

图2是第1实施方式的电池模块的概要结构框图。

图3是第1实施方式的详细电路说明图。

图4是第2实施方式的电池模块的概要结构框图。

图5是第2实施方式的详细电路说明图。

具体实施方式

接下来参照附图对实施方式进行说明。

[1]第1实施方式

图1是实施方式的组电池系统的充电状态下的概要结构框图。