[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种包括具有六方晶系的晶体结构的半导体结构层的半导体发光元件的制造方法，该制造方法包括以下步骤：

在所述半导体结构层的C^-面上形成基于所述半导体结构层的所述C^-面的晶体方向配置的易蚀刻部分；以及

对所述半导体结构层的所述C^-面进行湿蚀刻，在所述半导体结构层的所述C^-面上形成包括由于所述半导体结构层的晶体结构导致的多个突起的凹凸结构面，

其中，每个所述易蚀刻部分具有比所述C^-面的其余部分的湿蚀刻速率大的湿蚀刻速率，以及

其中，当通过第一直线组、第二直线组和第三直线组将所述C^-面细分为包括等边三角形格子的网格状时，所述易蚀刻部分形成在所述等边三角形格子的各个中心处，所述第一直线组包括与所述半导体结构层的所述C^-面的晶体方向中的[11-20]方向平行且等间隔排列的多条直线，所述第二直线组包括与[2-1-10]方向平行且以与所述第一直线组相同的间隔排列的多条直线，所述第三直线组包括与[1-210]方向平行且以与所述第一直线组和所述第二直线组相同的间隔排列的多条直线。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其中，所述易蚀刻部分形成为具有通过用直线连接每个所述易蚀刻部分和与其相邻的所述易蚀刻部分而得到的蜂窝形状的图案。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其中，形成所述易蚀刻部分的步骤包括以下步骤：

在所述半导体结构层的所述C^-面上形成具有与所述易蚀刻部分的形成位置对应的掩模部分的掩模层；

对从所述掩模层露出的所述半导体结构层的所述C^-面进行惰性气体的等离子体照射；以及

去除所述掩模层。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其中，形成所述易蚀刻部分的步骤包括以下步骤：

在所述半导体结构层的所述C^-面上形成具有与所述易蚀刻部分的形成位置对应的开口部的金属膜、绝缘膜或树脂膜。

5.一种包括具有六方晶系的晶体结构的半导体结构层的半导体发光元件的制造方法，该制造方法包括以下步骤：

在所述半导体结构层的C^-面上形成基于所述半导体结构层的所述C^-面的晶体方向配置的易蚀刻部分；以及

对所述半导体结构层的所述C^-面进行湿蚀刻，在所述半导体结构层的所述C^-面上形成包括由于所述半导体结构层的晶体结构导致的多个突起的凹凸结构面，

其中，每个所述易蚀刻部分具有比所述C^-面的其余部分的湿蚀刻速率大的湿蚀刻速率，以及

其中，当通过第一直线组、第二直线组和第三直线组将所述C^-面细分为包括等边三角形格子的网格状时，所述易蚀刻部分形成在所述等边三角形格子的各个中心处，所述第一直线组包括与所述半导体结构层的所述C^-面的所述晶体方向中的[1-100]方向平行且等间隔排列的多条直线，所述第二直线组包括与[10-10]方向平行且以与所述第一直线组相同的间隔排列的多条直线，所述第三直线组包括与[0-110]方向平行且以与所述第一直线组和所述第二直线组相同的间隔排列的多条直线。

6.根据权利要求5所述的半导体发光元件的制造方法，其中，

所述易蚀刻部分形成为具有通过用直线连接每个所述易蚀刻部分和与其相邻的所述易蚀刻部分而得到的蜂窝形状的图案。

7.根据权利要求5所述的半导体发光元件的制造方法，其中，形成所述易蚀刻部分的步骤包括以下步骤：

在所述半导体结构层的所述C^-面上形成具有与所述易蚀刻部分的形成位置对应的掩模部分的掩模层；

对从所述掩模层露出的所述半导体结构层的所述C^-面进行惰性气体的等离子体照射；以及

去除所述掩模层。