[发明专利]用于半导体制造过程和/或方法的化学组合物、使用其制得的装置

权利要求书

1.一种RTWCG组合物，其包含：

(A)含碘的化合物；所述含碘的化合物包含HIO₃；

(B)含HF的第一酸；

(C)含HCl的第二非氧化性酸；及

(D)水，

其中所述组合物包含A重量％的所述含碘的化合物(A)、B重量％的所述第一酸(B)、C重量％的所述第二非氧化性酸(C)及D重量％的水，其中A、B、C及D的和为100，

其中所述含碘的化合物(A)以0.01重量％至0.4重量％存在，并且

其中所述第一酸(B)以0.1重量％至8.2重量％存在，并且

其中C为1重量％至50重量％，且D为剩余部分。

2.如权利要求1的组合物，其中A为0.1317±0.1重量％。

3.如权利要求1的组合物，其中C为25.00±12重量％。

4.如权利要求1的组合物，其中B小于7重量％。

5.如权利要求1的组合物，其中B对C的比率为4:1至1:20。

6.如权利要求5的组合物，其中B对C的比率为1:4.3860±2.5。

7.如权利要求1的组合物，其中所述含碘的化合物为HIO₃，其以0.02g/L至0.8g/L的量存在。

8.如权利要求7的组合物，其中所述HIO₃以0.5±0.15g/L的量存在。

9.如权利要求1的组合物，其中所述HIO₃以1.5±0.5g/L的量存在。

10.如权利要求1的组合物，其中所述组合物基本上不含硅。

11.如权利要求1的组合物，其中所述组合物是一种低HF浓度的RTWCG组合物，其中所述低HF浓度的组合物中的HF浓度为0.7重量％±0.2重量％。

12.如权利要求1的组合物，其中所述组合物是一种高HF浓度的组合物，其中所述高HF浓度的组合物包含至少1.1重量％±0.2重量％的HF浓度。

13.一种稀释水溶液，其包含如权利要求1的组合物及水。

14.如权利要求13的稀释水溶液，其中所述稀释水溶液包含比率为1:4至1:26的如权利要求1的组合物及水。

15.如权利要求14的溶液，其中B对C的比率为4:1至1:20。

16.如权利要求15的溶液，其中B对C的比率为1:4.3860±2.5。