[发明专利]使用中波长红外辐射烧蚀的晶片去接合

权利要求书

1.一种用于处理器件晶片的方法，所述方法包括以下步骤：

提供堆栈结构，所述堆栈结构包括器件晶片、处理物晶片及接合结构， 所述接合结构将所述器件晶片及所述处理物晶片接合在一起，其中所述接 合结构包括由导电材料所形成的释放层；以及

使用穿过所述处理物晶片的红外能量辐射所述接合结构以基本或完全 气化所述释放层，以使得作为所述释放层的基本或完全气化的直接结果， 从所述处理物晶片释放所述器件晶片，

其中所述红外能量的波长处于约1.12μm至约5μm的范围内。

2.如权利要求1所述的方法，其中辐射所述接合结构的步骤包括以下 步骤：

将脉冲红外激光束导向所述处理物晶片的表面；以及

跨所述处理物晶片的所述表面扫描所述脉冲红外激光束以基本或完全 气化所述接合结构的所述释放层。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述释放层包括金属材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述释放层包括碳材料或碳结构。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述释放层具有在约5nm至约400 nm的范围内的厚度。

6.一种堆栈结构，所述堆栈结构包括：

器件晶片；

处理物晶片；以及

接合结构，其安置于所述器件晶片与所述处理物晶片之间，其中所述 接合结构将所述器件晶片及所述处理物晶片接合在一起，

其中所述接合结构包括由导电材料所形成的释放层，其中所述释放层 被配置为当曝露于穿过所述处理物晶片的红外激光能量时藉由红外烧蚀被 基本或完全气化，以便作为所述释放层的红外烧蚀的直接结果，引发从所 述处理物晶片释放所述器件晶片，

其中所述红外能量的波长处于约1.12μm至约5μm的范围内。

7.如权利要求6所述的堆栈结构，其中所述释放层包括金属材料。

8.如权利要求6所述的堆栈结构，其中所述释放层包括碳材料或碳结 构。

9.如权利要求6所述的堆栈结构，其中所述释放层具有在约5nm至 约400nm的范围内的厚度。

10.如权利要求6所述的堆栈结构，其中所述释放层直接形成在所述 处理物晶片的表面上。

11.如权利要求6所述的堆栈结构，其中所述接合结构进一步包括粘 合层。

12.如权利要求11所述的堆栈结构，其中所述粘合层包括填充物颗粒， 所述填充物颗粒被配置为反射所述红外能量。

13.如权利要求6所述的堆栈结构，进一步包括反射层，所述反射层 安置于所述接合结构与所述器件晶片之间以反射所述红外能量远离所述器 件晶片并保护所述器件晶片免遭所述红外能量辐射。

14.如权利要求6所述的堆栈结构，进一步包括应力补偿层，所述应 力补偿层形成于所述处理物晶片的表面上，其中所述应力补偿层被配置为 减轻所述处理物晶片的弯曲。

15.如权利要求14所述的堆栈结构，其中所述应力补偿层为以下中的 至少一个：(i)安置于所述接合结构与所述处理物晶片之间；以及(ii)形成在 所述处理物晶片的与之上形成所述接合结构的表面相对的表面上。

16.一种测试如权利要求6所述的堆栈结构的方法，其中所述方法包 括以下步骤：将散热器或冷板热接合至所述处理物晶片；以及使用晶片级 测试探头测试所述器件晶片以在电气上测试所述器件晶片上的活性电路。