[发明专利]连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置有效
申请号: | 201480042111.7 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN105659359B | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 丸谷新治 | 申请(专利权)人: | 化工技术边界股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C01B33/107;C30B25/14;C30B29/06 |
代理公司: | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人: | 顿海舟;李唐明 |
地址: | 日本三重县松*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连续 蒸馏 式三氯氢硅 气化 供给 装置 方法 | ||
1.一种连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置,包括:
一蒸发器,具备作为载气的氢气的导入口,还具有使液体三氯氢硅气化的加热装置,该蒸发器更包含载气氢气供给管,且氢气经由该载气氢气供给管吹入该蒸发器内,又该液体三氯氢硅是经由一三氯氢硅补给阀向该蒸发器内压补给;和
一冷凝器,具有用低于气化的三氯氢硅气体的蒸气压的饱和蒸气压对应的温度使气体凝结的冷却装置;
其特征在于:
该蒸发器的中心线和该冷凝器的中心线不在同一线上,且该冷凝器的下端和该蒸发器的下端,通过管道连通。
2.如权利要求1所述的连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置,其特征在于,该连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置进一步包括该冷凝器的精密温度控制机构及该冷凝器的精密压力调节机构。
3.如权利要求1所述的连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置,其特征在于,该冷凝器的上端设有分配部,该分配部可以将通过该冷凝器的三氯氢硅分配给多个装置。
4.如权利要求3所述的连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置,其特征在于,该冷凝器具有多个气体导通管,该分配部具有分割板,以便将该多个气体导通管的出口分成该多个装置所对应的数。
5.如权利要求4所述的连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置,其特征在于,被分割的该多个气体导通管的各个出口连接调节混合气体送气管,以便向该多个装置运送三氯氢硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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