[发明专利]在芯片上制备多个测量区域的方法以及具有测量区域的芯片有效
| 申请号: | 201480041722.X | 申请日: | 2014-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN105408739B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
| 发明(设计)人: | M.希伯;H.舍德 | 申请(专利权)人: | 贝林格尔·英格海姆维特梅迪卡有限公司 |
| 主分类号: | G01N27/403 | 分类号: | G01N27/403;G01N27/30;B01L3/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
| 地址: | 德国英*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 制备 测量 区域 方法 以及 具有 | ||
1.一种用于制备具有多个可电寻址的测量区域(16)的芯片(11)或用于在芯片(11)上制备多个测量区域(16)的方法,其中在芯片(11)上于各测量区域(16)中使可电接触的电极对(23a、23b)结构化,并且其中所述测量区域(16)通过形成使所述测量区域(16)相互分开的隔室结构(24)而形成,其特征在于,
隔室结构(24)的形成包括以下工艺步骤:
-通过将疏水层(12)施加至芯片表面(13)来在除测量区域(16)以外的芯片表面(13)上产生疏水润湿性能,其中,将疏水层(12)以疏水光刻胶层的形式施加至芯片表面(13)以形成隔室结构。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,隔室结构(24)的形成包括在测量区域(16)中产生亲水性能。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,直至芯片(11)被单片化或被安装时,测量区域(16)至少基本上设有保护层或被保护层覆盖。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述亲水性能的产生是在氧等离子体中或利用干法蚀刻进行的。
5.根据权利要求1至4之一所述的方法,其特征在于,在根据权利要求1至4之一所述的工艺步骤结束后,进行对经处理的芯片表面(13)或测量区域(16)的清洗。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述清洗通过使用piranha溶液进行。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在完成清洗后,使用点样法进行测量区域(16)的官能化。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,疏水中间区域(27)的在测量区域(16)之间的宽度是测量区域(16)的宽度的多于10%。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,疏水中间区域(27)的在测量区域(16)之间的宽度是测量区域(16)的宽度的多于20%。
10.一种具有多个可电寻址的测量区域(16)的芯片(11),其中在芯片表面(13)上设有使测量区域(16)相互分开的隔室结构(24),其特征在于,
隔室结构(24)在芯片表面上由以光刻胶形式的疏水层(12、14、18)形成,并且
芯片表面(13)至少基本上被平坦地形成,并且隔室结构(24)相对于芯片表面(13)凸起。
11.根据权利要求10所述的芯片,其特征在于,隔室结构(24)以疏水层(12、14、18)或疏水中间区域(27)完全或呈环状地包围各个测量区域(16)。
12.根据权利要求10所述的芯片,其特征在于,隔室结构(24)或疏水层(12、14、18)被构建为栅格状的或蜂窝状的。
13.根据权利要求10所述的芯片,其特征在于,隔室结构(24)或疏水层(12、14、18)具有比宽度小的高度,两个相邻的测量区域(16)之间的宽度至少比相对于承载测量区域(16)的芯片表面(13)的高度大5倍。
14.根据权利要求10至13之一所述的芯片,其特征在于,隔室结构(24)或疏水层(12、14、18)构成在测量区域(16)之间的疏水中间区域(27)。
15.根据权利要求10至13之一所述的芯片,其特征在于,所述光刻胶是基于聚酰胺的光刻胶。
16.根据权利要求10至13之一所述的芯片,其特征在于,芯片(11)是根据权利要求1至9之一所述的方法可获得的或制造的。
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