[发明专利]在芯片上制备多个测量区域的方法以及具有测量区域的芯片有效

专利信息
申请号: 201480041722.X 申请日: 2014-05-30
公开(公告)号: CN105408739B 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: M.希伯;H.舍德 申请(专利权)人: 贝林格尔·英格海姆维特梅迪卡有限公司
主分类号: G01N27/403 分类号: G01N27/403;G01N27/30;B01L3/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 侯宇
地址: 德国英*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 芯片 制备 测量 区域 方法 以及 具有
【权利要求书】:

1.一种用于制备具有多个可电寻址的测量区域(16)的芯片(11)或用于在芯片(11)上制备多个测量区域(16)的方法,其中在芯片(11)上于各测量区域(16)中使可电接触的电极对(23a、23b)结构化,并且其中所述测量区域(16)通过形成使所述测量区域(16)相互分开的隔室结构(24)而形成,其特征在于,

隔室结构(24)的形成包括以下工艺步骤:

-通过将疏水层(12)施加至芯片表面(13)来在除测量区域(16)以外的芯片表面(13)上产生疏水润湿性能,其中,将疏水层(12)以疏水光刻胶层的形式施加至芯片表面(13)以形成隔室结构。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,隔室结构(24)的形成包括在测量区域(16)中产生亲水性能。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,直至芯片(11)被单片化或被安装时,测量区域(16)至少基本上设有保护层或被保护层覆盖。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述亲水性能的产生是在氧等离子体中或利用干法蚀刻进行的。

5.根据权利要求1至4之一所述的方法,其特征在于,在根据权利要求1至4之一所述的工艺步骤结束后,进行对经处理的芯片表面(13)或测量区域(16)的清洗。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述清洗通过使用piranha溶液进行。

7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在完成清洗后,使用点样法进行测量区域(16)的官能化。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,疏水中间区域(27)的在测量区域(16)之间的宽度是测量区域(16)的宽度的多于10%。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,疏水中间区域(27)的在测量区域(16)之间的宽度是测量区域(16)的宽度的多于20%。

10.一种具有多个可电寻址的测量区域(16)的芯片(11),其中在芯片表面(13)上设有使测量区域(16)相互分开的隔室结构(24),其特征在于,

隔室结构(24)在芯片表面上由以光刻胶形式的疏水层(12、14、18)形成,并且

芯片表面(13)至少基本上被平坦地形成,并且隔室结构(24)相对于芯片表面(13)凸起。

11.根据权利要求10所述的芯片,其特征在于,隔室结构(24)以疏水层(12、14、18)或疏水中间区域(27)完全或呈环状地包围各个测量区域(16)。

12.根据权利要求10所述的芯片,其特征在于,隔室结构(24)或疏水层(12、14、18)被构建为栅格状的或蜂窝状的。

13.根据权利要求10所述的芯片,其特征在于,隔室结构(24)或疏水层(12、14、18)具有比宽度小的高度,两个相邻的测量区域(16)之间的宽度至少比相对于承载测量区域(16)的芯片表面(13)的高度大5倍。

14.根据权利要求10至13之一所述的芯片,其特征在于,隔室结构(24)或疏水层(12、14、18)构成在测量区域(16)之间的疏水中间区域(27)。

15.根据权利要求10至13之一所述的芯片,其特征在于,所述光刻胶是基于聚酰胺的光刻胶。

16.根据权利要求10至13之一所述的芯片,其特征在于,芯片(11)是根据权利要求1至9之一所述的方法可获得的或制造的。

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