[发明专利]保护膜形成用复合片

说明书

本发明提供保护膜形成用复合片(1)，其具备在基材(21)的一面侧叠层粘合剂层(22)而成的粘合片(2)、和叠层于粘合片(2)的粘合剂层(22)侧的保护膜形成膜(3)，粘合片(2)不具有沿厚度方向贯穿该粘合片(2)的通孔，使用积分球测定的粘合片(2)在波长532nm下的透光率为25～85％。根据该保护膜形成用复合片(1)，即使使用不具有通孔的粘合片，也能够在对保护膜形成膜(保护膜)进行激光打印时抑制在粘合片与保护膜形成膜(保护膜)之间产生气体积存。

技术领域

本发明涉及可粘接于半导体晶片等工件并在该状态下实现对工件的加工(例如切割)、从而能够在该工件或对该工件进行加工而得到的物品(例如半导体芯片)上形成保护膜的保护膜形成用复合片。

背景技术

近年来，已使用被称为倒装(face down)方式的安装法来进行半导体装置的制造。在该方法中，在安装具有形成有凸块等电极的电路面的半导体芯片时，将半导体芯片的电路面侧接合于引线框等芯片搭载部。因此，会成为未形成电路的半导体芯片的背面侧露出的结构。

因此，为了对半导体芯片加以保护，多数情况下在半导体芯片的背面侧形成由硬质的有机材料形成的保护膜。通常，为了显示出该半导体芯片的产品编号等，要对该保护膜实施打印。作为其打印方法，对保护膜照射激光的激光标记法(激光打印)已得到普及。

在此，专利文献1～3中公开了在粘合片上形成有能够用于形成上述保护膜的保护膜形成层(保护膜形成膜)的保护膜形成/切割一体型片。利用该保护膜形成/切割一体型片，能够进行半导体晶片的切割及对半导体芯片的保护膜形成这两者，从而能够获得带保护膜的半导体芯片。

具体而言，将保护膜形成/切割一体型片贴合于半导体晶片，进行加热以使保护膜形成层固化，从而形成保护膜。其后，隔着粘合片对保护膜进行激光打印、并进行切割而制成单片的芯片。这里，在进行激光打印时，有时会在粘合片和保护膜之间积存因保护膜变性(主要是燃烧)而产生的气体。而在这样地产生气体积存的情况下，有时会导致打印的视觉辨认性变差，无法进行芯片的个体识别。另外，还存在导致粘合片与保护膜的密合性变得不充分，在切割工序中无法将半导体芯片从粘合片剥离的隐患。

为此，专利文献4提出了一种晶片加工用粘合片，其通过预先在粘合片上设置通孔，从而能够从通孔将在激光打印中产生的气体除去。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-140348号公报

专利文献2：日本特开2012-33637号公报

专利文献3：日本特开2011-151362号公报

专利文献4：日本特开2012-169441号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，就专利文献4的晶片加工用粘合片而言，在通孔与通孔之间进行激光打印的情况下，有时气体无法从通孔脱离，而是产生气体积存。

本发明鉴于如上所述的实际情况而完成，其目的在于提供一种保护膜形成用复合片，其尽管使用的是不具有通孔的粘合片，也能够在对保护膜形成膜(保护膜)进行激光打印时抑制在粘合片与保护膜形成膜(保护膜)之间产生气体积存。

解决问题的方法

为了实现上述目的，第1，本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备在基材的一面侧叠层粘合剂层而成的粘合片、和叠层于上述粘合片的上述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，上述粘合片不具有沿厚度方向贯穿该粘合片的通孔，且使用积分球测定的上述粘合片在波长532nm下的透光率为25～85％(发明1)。