[发明专利]用于制造太阳能电池、特别是硅薄层太阳能电池的方法

权利要求书

1.用于制造太阳能电池的方法，其包括下列工艺步骤：

-将TCO层(3)施设到玻璃基底(1)上；

-将至少一个硅层(4，5)施设到TCO层(3)上；

其特征在于：在施设TCO层(3)之前给玻璃基底(1)施加电子辐射，从而产生玻璃基底(1)的散射光的层(2)，将TCO层(3)施设到该散射光的层上，其中，在施加电子辐射之前和/或期间将玻璃基底(1)加热到200℃与700℃之间的温度。

2.如权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述太阳能电池是硅薄层太阳能电池。

3.如权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：在施加电子辐射之前和/或期间将玻璃基底(1)加热到300℃与500℃之间的温度。

4.如权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：在施加电子辐射之前和/或期间将玻璃基底(1)加热到400℃的温度。

5.如权利要求1至4之任一项所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：电子辐射具有线状横截面并且与线的纵向延伸垂直地在玻璃基底(1)的表面上运动。

6.如权利要求1至4之任一项所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：给TCO层(3)施加激光辐射。

7.如权利要求1至4之任一项所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：将第一硅层(4)施设到TCO层(3)上，给所述第一硅层(4)施加激光辐射或电子辐射，并且将第二硅层(5)施设到经照射的第一硅层(4)上。

8.如权利要求7所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述第二硅层(5)比所述第一硅层(4)更厚。

9.如权利要求8所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述第一硅层(4)具有小于3.0μm的层厚。

10.如权利要求9所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述第一硅层(4)具有小于2.0μm的层厚。

11.如权利要求10所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述第一硅层(4)具有小于1.0μm的层厚。

12.如权利要求11所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述第一硅层(4)具有在0.5μm与1.0μm之间的层厚。

13.如权利要求8至12之任一项所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述第二硅层(5)具有在2.0μm与20μm之间的层厚。

14.如权利要求13所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述第二硅层(5)具有在3.5μm与15μm之间的层厚。

15.如权利要求14所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述第二硅层(5)具有在5μm与10μm之间的层厚。

16.如权利要求7所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：给所述第二硅层(5)施加激光辐射或电子辐射。

17.如权利要求16所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：激光辐射或电子辐射具有线状横截面并且与线的纵向延伸垂直地在玻璃基底(1)的表面上运动。

18.如权利要求1至4之任一项所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：借助电子射线来蒸发TCO层(3)和/或所述至少一个硅层(4，5)。

19.如权利要求1至4之任一项所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：在300℃以下的温度下施设TCO层(3)和/或所述至少一个硅层(4，5)。

20.如权利要求19所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：在200℃以下的温度下施设TCO层(3)和/或所述至少一个硅层(4，5)。

21.如权利要求20所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：在100℃以下的温度下施设TCO层(3)和/或所述至少一个硅层(4，5)。

22.如权利要求21所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：在室温下施设TCO层(3)和/或所述至少一个硅层(4，5)。

23.如权利要求7所述的用于制造太阳能电池的方法，其特征在于：将由导电材料制成的电极(6)施设到所述至少一个硅层(4，5)或所述第二硅层(5)上。