[发明专利]接合体及功率模块用基板

权利要求书

1.一种接合体，由陶瓷构成的陶瓷部件与由Cu或Cu合金构成的Cu部件通过Cu-P-Sn系钎料及Ti材接合而成，其中，

在所述陶瓷部件与所述Cu部件的接合界面形成有：

位于所述陶瓷部件侧且Sn固溶于Cu中的Cu-Sn层；及

位于所述Cu部件与所述Cu-Sn层之间的Ti层，

在所述Cu部件与所述Ti层之间形成有由Cu和Ti构成的第一金属间化合物层，

在所述Cu-Sn层与所述Ti层之间形成有含P的第二金属间化合物层，

所述Cu-P-Sn系钎料中含有3质量％以上10质量％以下的P和0.5质量％以上25质量％以下的Sn，

所述第一金属间化合物层的厚度在0.5μm以上10μm以下，

所述Ti层的厚度为1μm以上15μm以下。

2.一种功率模块用基板，其中，

所述功率模块用基板由权利要求1所述的接合体构成，

所述功率模块用基板具备：陶瓷基板，由所述陶瓷部件构成；及电路层，在该陶瓷基板的第一面通过Cu-P-Sn系钎料及Ti材接合由所述Cu部件构成的Cu板而成，

在所述陶瓷基板与所述电路层的接合界面形成有：

位于所述陶瓷基板侧且Sn固溶于Cu中的Cu-Sn层；及

位于所述电路层与所述Cu-Sn层之间的Ti层，

在所述电路层与所述Ti层之间形成有由Cu和Ti构成的第一金属间化合物层，

在所述Cu-Sn层与所述Ti层之间形成有含P的第二金属间化合物层，

所述Cu-P-Sn系钎料中含有3质量％以上10质量％以下的P和0.5质量％以上25质量％以下的Sn，

所述第一金属间化合物层的厚度在0.5μm以上10μm以下，

所述Ti层的厚度为1μm以上15μm以下。

3.根据权利要求2所述的功率模块用基板，其中，

在所述陶瓷基板的第二面形成有金属层。

4.根据权利要求3所述的功率模块用基板，其中，

所述金属层在所述陶瓷基板的第二面通过Cu-P-Sn系钎料及Ti材接合由Cu或Cu合金构成的Cu板而成，

在所述陶瓷基板与所述金属层的接合界面形成有：

位于所述陶瓷基板侧且Sn固溶于Cu中的Cu-Sn层；及

位于所述金属层与所述Cu-Sn层之间的Ti层，

在所述金属层与所述Ti层之间形成有由Cu和Ti构成的第一金属间化合物层，

在所述Cu-Sn层与所述Ti层之间形成有含P的第二金属间化合物层。

5.根据权利要求3所述的功率模块用基板，其中，

所述金属层由Al或Al合金构成。