[发明专利]电感耦合式等离子体（ICP）反应器中的功率沉积控制

权利要求书

1.一种用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗，包括：

主体，所述主体包括面向供应能量的线圈的第一侧、与所述第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，所述电介质窗具有在空间上变化的介电系数，且

其中，在靠近所述中心的所述第一侧形成沟道以有助于将设有所述电介质窗的所述第一侧耦合到其它部件，且

所述沟道包括从所述第一侧延伸并部分进入所述主体的轴向部以及从所述轴向部延伸的径向部。

2.如权利要求1所述的电介质窗，其中，所述介电系数径向地变化。

3.如权利要求1或2中的任一项所述的电介质窗，进一步包括：

一个或多个突出部，所述一个或多个突出部从所述主体的所述第二侧延伸，并且使所述电介质窗的介电系数变化。

4.如权利要求3所述的电介质窗，其中，所述一个或多个突出部是单个的圆形突出部。

5.如权利要求1或2中的任一项所述的电介质窗，进一步包括：

一个或多个凹部，所述一个或多个凹部形成在所述电介质窗的所述第一侧中；

其中，一个或多个插入件设置在所述一个或多个凹部中。

6.如权利要求1或2中的任一项所述的电介质窗，进一步包括：

开口，所述开口形成在所述主体的所述中心中；以及

喷嘴，所述喷嘴设置在所述开口内，并且具有多个气体分配孔。

7.如权利要求6所述的电介质窗，其中，所述气体分配孔与所述电介质窗的所述第二侧齐平。

8.如权利要求6所述的电介质窗，其中，所述气体分配孔延伸越过所述电介质窗的所述第二侧。

9.如权利要求1或2中的任一项所述的电介质窗，进一步包括：

多个一体式气体入口，所述多个一体式气体入口从所述第一侧延伸穿过所述主体至所述第二侧。

10.如权利要求1或2中的任一项所述的电介质窗，其中，所述电介质窗的厚度从接近所述主体的所述中心的区域朝所述主体的所述边缘渐缩。

11.如权利要求1或2中的任一项所述的电介质窗，进一步包括：

一个或多个突出部，所述一个或多个突出部设置在所述主体的所述第二侧上，所述一个或多个突出部改变所述电介质窗的所述介电系数；以及

多个气体入口，所述多个气体入口设置成穿过所述主体，其中，所述多个气体入口设置在所述一个或多个突出部的径向内侧。

12.如权利要求1或2中的任一项所述的电介质窗，其中，所述介电系数的最高值是所述介电系数的最低值的约2倍至约3倍。

13.一种用于处理基板的设备，包括：

工艺腔室，所述工艺腔室具有处理容积，所述处理容积设置在所述工艺腔室的盖的下方；以及

一个或多个电感线圈，所述一个或多个电感线圈设置在所述盖上方，以将RF能量感性地耦合至所述处理容积内的基板支撑件上的处理容积中，并且在所述处理容积内的基板支撑件上的处理容积中形成等离子体；

其中，所述盖是如前述权利要求中的任一权利要求中所述的电介质窗，其中，所述第二侧面向所述处理容积，并且其中，在空间上变化的介电系数将对RF能量的变化的功率耦合从所述一个或多个电感线圈提供至所述处理容积。

14.如权利要求13所述的设备，其中，所述一个或多个线圈包括外线圈与内线圈，并且其中，所述电介质窗的所述介电系数在第一位置处为最大，所述第一位置在设置在所述外线圈与所述内线圈之间的区域下方。

15.如权利要求14所述的设备，进一步包括：

单个的圆形突出部，所述单个的圆形突出部在所述第一位置处从所述电介质窗的所述第二侧延伸。